華虹半導體功率器件平臺累計出貨量突破500萬(wàn)片晶圓

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)——華虹半導體有限公司(“華虹半導體”或“公司”，連同其附屬公司，統稱(chēng)“集團”，股份代號：1347.HK)今天宣布，公司功率器件平臺累計出貨量已突破500萬(wàn)片晶圓。其中，得益于市場(chǎng)對超級結MOSFET(“金氧半場(chǎng)效晶體管”)和IGBT(“絕緣柵雙極型晶體管”)的強勁需求，華虹半導體獨特且具競爭力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及場(chǎng)截止型IGBT累計出貨量分別超過(guò)了200,000片和30,000片晶圓，并保持快速增長(cháng)趨勢。

　　功率半導體器件在移動(dòng)通訊、消費電子、開(kāi)關(guān)電源、馬達驅動(dòng)、LED驅動(dòng)、新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著(zhù)越來(lái)越重要的作用，是降低功耗、提高效率的關(guān)鍵核心器件。華虹半導體擁有十五年的功率器件穩定量產(chǎn)經(jīng)驗，是全球首家、同時(shí)亦是最大的功率器件200mm晶圓代工廠(chǎng)。憑籍持續的研發(fā)和創(chuàng )新，公司以極具競爭力的功率半導體技術(shù)，為客戶(hù)提供從低壓到高壓的完整解決方案，同時(shí)不斷向更高端、更廣闊應用的高密度大功率器件方向深耕，延續其“全球功率器件領(lǐng)導者”的戰略布局。

　　目前，公司已推出第三代SJNFET工藝平臺，技術(shù)參數達業(yè)界一流水平，可為客戶(hù)提供導通電阻更低、芯片面積更小、開(kāi)關(guān)速度更快和開(kāi)關(guān)損耗更低的產(chǎn)品解決方案。公司的場(chǎng)截止型IGBT技術(shù)參數可比肩國際領(lǐng)先企業(yè)，并具有出色的背面晶圓加工能力，是中國大陸唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工廠(chǎng)商。

　　華虹半導體執行副總裁范恒先生表示：“功率MOSFET累計出貨量突破500萬(wàn)片是華虹半導體的一個(gè)重要里程碑，越來(lái)越多的功率系統設計人員將目光投向我們，尋求綠色能源、快速充電、工業(yè)應用等方面領(lǐng)先的電源管理芯片代工方案。以綠色創(chuàng )‘芯’為主軸，我們還將重點(diǎn)關(guān)注整個(gè)新能源汽車(chē)的產(chǎn)業(yè)鏈，包括充電樁、電池保護、馬達驅動(dòng)等應用。此外，我們正在加速研發(fā)應用于高端工業(yè)和能源領(lǐng)域的超高壓IGBT技術(shù)，相信會(huì )進(jìn)一步鞏固公司在功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?！?/p>