數項投資啟動(dòng) 我國存儲器產(chǎn)業(yè)有望率先獲突破

　　2月12日，總投資300億美元的紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開(kāi)工;兆易創(chuàng )新亦于2月13日公告擬收購北京矽成100%股權，矽成的主要業(yè)務(wù)為SDRAM。新年伊始，我國存儲器產(chǎn)業(yè)便連續爆出兩項重要消息，表明我國存儲產(chǎn)業(yè)的布局正在加速推進(jìn)當中。而隨著(zhù)數項重大投資的啟動(dòng)，存儲器正在成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。

　　國際存儲巨頭警惕中國存儲力量成長(cháng)

　　盡管存儲器屬于高度壟斷的行業(yè)，但是我國在發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)道路上已經(jīng)邁出了第一步。2月12日，紫光集團在南京正式建立半導體產(chǎn)業(yè)基地，主要產(chǎn)品為3DNANDFLASH、DRAM存儲芯片等，一期投資100億美元，規劃月產(chǎn)芯片10萬(wàn)片，項目總投資300億美元。除此之外，紫光集團還與國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司于2016年7月共同出資成立長(cháng)江存儲科技有限責任公司;項目于2016年12月30日正式開(kāi)工建設。項目總投資金額約240億美元，預期將于2018年完成建廠(chǎng)投產(chǎn)、2020年完成整個(gè)項目，總產(chǎn)能將達到30萬(wàn)片一個(gè)月。

　　除紫光/長(cháng)江存儲之外，2016年福建晉華與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定，由聯(lián)電協(xié)助其生產(chǎn)利基型DRAM。新建的12英寸廠(chǎng)房已經(jīng)動(dòng)工，初步產(chǎn)能規劃每月6萬(wàn)片，估計2017年底完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，2018年9月試產(chǎn)。合肥長(cháng)鑫公司于2016年宣布將在合肥打造月產(chǎn)能12.5萬(wàn)片的12英寸晶圓廠(chǎng)，生產(chǎn)存儲器。此外，股市新貴兆易創(chuàng )新也計劃收購北京矽成，其中發(fā)行股份支付對價(jià)為45.5億元，現金支付對價(jià)為19.5億元。兆易創(chuàng )新是國內NORFlash行業(yè)的龍頭廠(chǎng)商。

　　以上舉措顯示，我國存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展正在持續推進(jìn)。如果僅從規劃中的產(chǎn)能來(lái)看，已經(jīng)超過(guò)國際半導體廠(chǎng)商在中國大陸建設的產(chǎn)能。整理各家公司公開(kāi)發(fā)布的數據發(fā)現，紫光/長(cháng)江存儲+晉華+長(cháng)鑫規劃月產(chǎn)能達到58.5萬(wàn)片，而幾家國際存儲器大廠(chǎng)在中國大陸的產(chǎn)能為32萬(wàn)片/月。

　　不過(guò)，這一情況已經(jīng)引起國際存儲器大廠(chǎng)的警惕。海力士近日表示將投資36億美元在無(wú)錫建設第二座存儲工廠(chǎng)。也有消息稱(chēng)三星電子將在2017年～2018年大舉追加投資西安3DNANDFlash廠(chǎng)，預估將投資約43.5億美元。三星、海力士同時(shí)擴大在華存儲器的投資，爭搶未來(lái)市場(chǎng)的目的十分明顯。

　　存儲器對產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)作用巨大

　　挑戰雖然存在，中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的決心卻不應動(dòng)搖。根據ICInsights發(fā)布的最新數據，在不同半導體產(chǎn)品門(mén)類(lèi)中，2016年分立器件市場(chǎng)規模為194億美元、光電器件321億美元、傳感器108億美元、模擬電路474億美元、微處理器627億美元、存儲器743億美元、邏輯電路883億美元。然而邏輯電路中的細分產(chǎn)品極其眾多。存儲器不僅產(chǎn)品種類(lèi)相對單一而且規模十分龐大。這樣的市場(chǎng)對產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有極大的帶動(dòng)作用。

　　同時(shí)，ICInsights認為今后幾年存儲器市場(chǎng)都將非常健康，預計2017年存儲器價(jià)格還將上漲，從而推動(dòng)全球存儲器市場(chǎng)規模達到創(chuàng )紀錄的853億美元，2020年達到1000億美元的規模。2021年可能接近1100億美元。當前中國正在著(zhù)力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，需要一個(gè)帶動(dòng)性強的行業(yè)作為突破口，存儲產(chǎn)業(yè)正是一個(gè)恰當的選擇。對此，半導體專(zhuān)家莫大康曾向記者講述：“從歷史經(jīng)驗來(lái)看，日本與韓國都曾經(jīng)以存儲器(DRAM和NANDFlash)為突破口，一躍成為半導體大國的。”

　　此外，中國也具有做強存儲產(chǎn)業(yè)的基礎。建廣資產(chǎn)總經(jīng)理孫衛表示：“存儲產(chǎn)業(yè)是一大投入、大產(chǎn)出的門(mén)類(lèi)，這些特點(diǎn)與面板行業(yè)類(lèi)似。我國應當總結這些年來(lái)在面板產(chǎn)業(yè)中的投資經(jīng)驗。”在十幾年的發(fā)展中，中國顯示面板領(lǐng)域投入了約3000億元，目前已經(jīng)成為全球液晶面板產(chǎn)業(yè)的重要力量之一。

　　因此，“下決心選擇存儲器作為IDM模式的突破口，是產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需要，也是眾望所歸。”莫大康指出。

　　中國的機會(huì )窗口期并不長(cháng)

　　當然，無(wú)論是DRAM還是NANDFlash，當前都處于高度壟斷狀態(tài)，即便是有可能帶來(lái)產(chǎn)業(yè)變革機會(huì )的3DNAND產(chǎn)品，目前國際存儲大廠(chǎng)也在不斷壘高技術(shù)壁壘。目前，三星在3DNAND方面處于領(lǐng)先地位，主流技術(shù)已經(jīng)是64層的3DNAND，且其3DNAND產(chǎn)出己占到其N(xiāo)AND總出貨量的40%。東芝公司的追趕也很快。東芝計劃在2017年3DNAND占NAND產(chǎn)出的50%，2018年達80%。幾家存儲大廠(chǎng)正在不斷加碼，留給中國發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的機會(huì )窗口期并不長(cháng)。

　　因此，莫大康表示，想要做好存儲器，首先就要認識到，這將是一場(chǎng)堅持戰。“存儲產(chǎn)業(yè)的特征就是起伏大，價(jià)格進(jìn)入下降周期，不是處于全球領(lǐng)先地位的企業(yè)，面臨巨虧的幾率非常大。當企業(yè)出現虧損時(shí)，而且是連續數年之后，還要能夠說(shuō)服自己以及股東繼續的投資發(fā)展。

　　所以中國存儲器業(yè)要取得成功，必須踏踏實(shí)實(shí)地進(jìn)行研發(fā)，以及遇到虧損時(shí)要堅持，再堅持。”莫大康說(shuō)。孫衛也指出：“存儲芯片也是一個(gè)產(chǎn)值巨大、需要長(cháng)期巨額投入、但短期內很可能看不到回報的行業(yè)。將考驗投資方的耐心。在投入之前首先就要做好長(cháng)期投資的心理準備。同時(shí)，一旦確定之后就要做堅定不移。這是一個(gè)拼意志拼勇氣的行業(yè)。”

　　所以，發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)，特別是發(fā)展初期需要國家政策上的支持，為企業(yè)的發(fā)展創(chuàng )造環(huán)境。比如在資本層面，國家需要為優(yōu)質(zhì)的公司打開(kāi)快速的資本市場(chǎng)通道，使企業(yè)在資金上獲得支持。此外，人才團隊是存儲產(chǎn)業(yè)成功與否的關(guān)鍵，特別是在全球范圍內進(jìn)行人才競爭極其重要，在人才選聘培養方面，國家也應打開(kāi)綠色通道。