2017年DRAM出貨成長(cháng)率或將低于20%
一般估計,DRAM的位元出貨成長(cháng)率(bit growth)低于40%,DRAM廠(chǎng)商便可獲利,而2017年因為大廠(chǎng)沒(méi)有新的投資計劃,DRAM的出貨成長(cháng)率甚至可能低于20%,所有的大廠(chǎng)都可能因此受惠。這也是DRAM產(chǎn)業(yè)成形以來(lái),出貨成長(cháng)率首度可能低于20%的年份,不少人甚至認為,DRAM將有個(gè)不算短的好光景。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201702/344293.htm三星電子(Samsung Electronics)高層最近提到,2017年位元成長(cháng)率可能為15~20%,對于2017年的獲利,抱持著(zhù)高度的期待,而美光(Micron)也在2016年底的法說(shuō)會(huì )上,提出類(lèi)似的看法,SK海力士(SK Hynix)則指出,DRAM投資轉向NAND Flash,因此DRAM的供應量,將于低于需求量的成長(cháng)率。在DRAM大廠(chǎng)多數的異口同聲下,遙遙領(lǐng)先的三星,當然可以好整以暇等待大筆獲利入袋。
深究近期DRAM沒(méi)有新投資,關(guān)鍵在于技術(shù)尚未突破,生產(chǎn)線(xiàn)轉換并無(wú)意義?;仡?990年代,甚至2000年開(kāi)始的前5年,全球DRAM市場(chǎng)的位元成長(cháng)率動(dòng)輒70~90%,造成大家流血競爭,直到全球DRAM市場(chǎng)整合為三星、海力士、美光三大廠(chǎng)后,成長(cháng)率就維持在25~30%,市場(chǎng)景氣與獲利狀況,開(kāi)始進(jìn)入黃金階段。
在NAND Flash的位元成長(cháng)率方面,三星估計是30~35%,美光則認為35~40%,與2016年的40%相去不遠。目前廠(chǎng)商將資源集中于3D NAND的投資,但技術(shù)上的突破十分困難,要大量增加供給也非常困難,市場(chǎng)上對于固態(tài)硬碟(SSD)的需求未曾減少,估計2017年也可能是個(gè)豐收年。
預期三星、SK海力士?jì)纱蟀雽w獲利,在2017年有機會(huì )挑戰30兆韓元(約263億美元)的新高水準。除了記憶體價(jià)格上揚之外,晶圓代工的商機也備受期待。
根據市場(chǎng)的判斷,三星2017年的獲利,將比2016年成長(cháng)60%,SK海力士甚至可能倍數成長(cháng),預期的獲利都是歷史新高?;仡欉^(guò)去1年,記憶體價(jià)格從2016年中開(kāi)始穩定上揚,預期2017年第2季PC DRAM價(jià)格雖有可能下滑,但因技術(shù)瓶頸,供給沒(méi)有增加,所以第3季便可能回穩。
過(guò)去月產(chǎn)能15萬(wàn)片晶圓的12吋DRAM廠(chǎng),投資金額在4億~5億美元,但現在需要8億~9億美元。另外,3D NAND因為伺服器與存儲設備的需要,SSD商機穩定,價(jià)格也不會(huì )有太大的波動(dòng)。三星由System LSI部門(mén)領(lǐng)軍的晶圓代工事業(yè),因為穩定掌握高通(Qualcomm)的訂單,預期2017年也會(huì )是個(gè)豐年。估計SK海力士2017年營(yíng)收為23.3兆韓元,獲利7.8兆韓元,三星半導體則是營(yíng)收64兆韓元,獲利21.5兆韓元,營(yíng)業(yè)利益率將超過(guò)30%。
三星半導體研究所長(cháng)鄭恩勝,日前在江原道舉辦的南韓半導體技術(shù)大會(huì )中擔任主講人,指出以現有的技術(shù)到2030年為止,半導體的線(xiàn)幅還可以持續的縮小到1.5nm,但DRAM必須找到新的物質(zhì),如果在化學(xué)材料上難以突破,屆時(shí)到了2021年,DRAM技術(shù)的開(kāi)發(fā)便會(huì )遭遇撞墻的障礙。目前三星掌握的最新DRAM技術(shù)是18nm制程技術(shù),而往下走到10nm便已經(jīng)困難重重。
另一方面,鄭恩勝在介紹新技術(shù)時(shí),特別強調正在研發(fā)的STT-MRAM技術(shù),三星將以單晶片的嵌入式設計,來(lái)實(shí)現新技術(shù)的應用。鄭恩勝在會(huì )場(chǎng)展示三星搭載顯示面板上的時(shí)序控制器(time controller)。此外,三星也介紹了整合影像感測器、邏輯IC、DRMA的三合一晶片,未來(lái)將會(huì )運用于智慧型手機非常關(guān)鍵的超高速照相功能上。
市調機構也預估,2017年全球半導體市場(chǎng)的規模,將可比2016年成長(cháng)7.2%,而世界半導體貿易統計協(xié)會(huì )(WSTS)估計是保守的3.3%。一般后端設備的供應商認為,3D NAND與晶圓代工廠(chǎng)會(huì )是2017年設備投資主力,估計設備市場(chǎng)將可達434億美元,成長(cháng)率為9.3%。全球各大市場(chǎng)中,臺灣以102.2億美元(23.5%)的比重獨占鰲頭,而南韓也有97.2億美元(22.4%),屈居第二。但如果加上三星在潔凈室、新廠(chǎng)的投資,南韓可能會(huì )是2017年全球半導體資本支出最大的國家,
日前國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)公布,2017年三星將投資近100億美元購買(mǎi)半導體設備,規??胺Q(chēng)全球業(yè)界之最,主要集中于3D NAND、大陸及南韓平澤。然而三星是否會(huì )因為李在镕入獄,影響到2017年的投資速度?業(yè)界應密切注意。
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