大陸半導體強勢崛起 臺灣半導體產(chǎn)業(yè)好日子到頭了？

　　近年來(lái)行動(dòng)裝置推陳出新，帶動(dòng)高階制程技術(shù)之需求大增，致2013年起臺灣的集成電路業(yè)產(chǎn)值連年創(chuàng )下歷史新高，2013、2014年各呈二位數成長(cháng)，分別年增16.2%及23.9%。

　　唯有2015年下半年至2016年上半年因全球經(jīng)濟疲弱，手持行動(dòng)裝置銷(xiāo)售滯緩，致104年產(chǎn)值僅年增6.2%，2016年下半年因終端電子產(chǎn)品需求回升，加上物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用電子、智慧自動(dòng)化等新興應用發(fā)展，致2016年1至10月產(chǎn)值達1兆392億元，年增5.4%，預期2016年全年集成電路業(yè)產(chǎn)值將突破1兆2千億元，續創(chuàng )新高。

　　晶圓代工為集成電路業(yè)成長(cháng)之主力

　　按產(chǎn)品觀(guān)察，晶圓代工產(chǎn)值占集成電路八成以上，由于先進(jìn)制程技術(shù)持續精進(jìn)，國際各大品牌行動(dòng)裝置推陳出新，通訊晶片需求強勁，累計2016年1至10月產(chǎn)值達9，035億元(年增8.6%)，為集成電路業(yè)成長(cháng)之最主要貢獻來(lái)源;DRAM產(chǎn)值居次，因價(jià)格相對較104年為低而年減12.5%。

　　集成電路出口市場(chǎng)以中國大陸及香港居冠

　　臺灣的集成電路業(yè)直接外銷(xiāo)比率約八成，2016年1至11月集成電路出口總值達709億美元，較2015年同期成長(cháng)11.1%，主要出口市場(chǎng)以中國大陸及香港(占54.8%)為首，年增22.5%最為顯著(zhù);新加坡(占14.1%)居次，年減6.5%，日本(占8.7%)及南韓(占8.5%)再次之。

　　臺灣業(yè)者為保持領(lǐng)先優(yōu)勢提高資本支出

　　為提升競爭優(yōu)勢，臺灣業(yè)者積極進(jìn)行研發(fā)及投資，尤以晶圓代工廠(chǎng)投入資本支出最為可觀(guān)。依據證交所公開(kāi)資訊觀(guān)測站公布之2016年前3季資料顯示，臺積電資本支出2，155億元(年增24.6%)，聯(lián)電697億元(年增47.7%)，有助于推升集成電路業(yè)之生產(chǎn)能量。

　　晶圓代工市占穩居全球第一

　　根據國際研調機構顧能(Gartner)統計，2015年全球晶圓代工銷(xiāo)售市場(chǎng)為489億美元，其中臺積電市占率高達54.3%，較2014年增加0.5個(gè)百分點(diǎn)，穩居全球晶圓代工市場(chǎng)之第一名寶座，聯(lián)電、力晶科技、世界先進(jìn)等亦名列全球晶圓代工前十大廠(chǎng)商，市占率合占67.2%，與2014年相近。

　　崛起的中國大陸半導體，臺灣半導體好日子快到頭了?

　　首先是設計產(chǎn)業(yè);

　　大陸IC 設計廠(chǎng)商數量及規模皆快速成長(cháng)，和臺灣差距不斷拉近，大陸海思2015 年的營(yíng)收額已有約聯(lián)發(fā)科的一半，且已超過(guò)臺灣IC 設計二哥聯(lián)詠;而展訊與銳迪科正式合并后，同樣將超越聯(lián)詠的規模。大陸的IC設計業(yè)多是本土陸資，IC產(chǎn)品除傳統3C應用外，政策更扶持諸如車(chē)電、醫電MCU、智慧卡IC等產(chǎn)品，未來(lái)在IoT政策帶動(dòng)需求下，IC設計公司將如雨后春筍般出頭。

　　近十年來(lái)大陸IC設計業(yè)者快速崛起，回顧2004年，全球前50大無(wú)晶圓廠(chǎng)半導體(Fabless)供應商還沒(méi)有大陸業(yè)者，2015年已有近700家Fabless廠(chǎng)商。2015年前50大Fabless名單中，美國Qualcomm和Broadcom仍保持第一和第二，聯(lián)發(fā)科從第六提升至第三，值得關(guān)注的是出現7家大陸業(yè)者，且排名多屬上升，海思已竄至第七名。

　　其次，晶圓廠(chǎng)的迅速崛起，這也是對臺灣的一大威脅。

　　根據SEMI(國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì ))的全球晶圓廠(chǎng)預測(World Fab Forecast)報告指出，2015年晶圓代工業(yè)整體產(chǎn)能已超越存儲，成為半導體產(chǎn)業(yè)當中最大的部門(mén)，并且在未來(lái)幾年可望持續領(lǐng)先。預料晶圓代工產(chǎn)能每年將成長(cháng)5%，超越業(yè)界整體表現，晶圓代工產(chǎn)能到2017年底預計將達到每月6百萬(wàn)片(8吋約當晶圓)。

　　臺灣的晶圓代工產(chǎn)能居全球之冠，其中12吋的產(chǎn)能占全球晶圓代工產(chǎn)能比重55%以上。臺積電與聯(lián)電是臺灣晶圓代工產(chǎn)能的兩大主要推手。臺積電十二廠(chǎng)第七期、十五廠(chǎng)第五及第六期正積極準備迎接10納米以下制程產(chǎn)能。聯(lián)電則持續擴充28納米產(chǎn)能，十二A廠(chǎng)第五期也準備投入14納米制程。

　　另一方面，晶圓代工產(chǎn)能全球第二的中國大陸則是成長(cháng)最快的市場(chǎng)。2015年整體晶圓代工產(chǎn)能為每月95萬(wàn)片，預計到了2017年底將增至每月120萬(wàn)片，占全球晶圓代工產(chǎn)能將近20%。大陸晶圓代工龍頭中芯國際(SMIC)目前正致力提升北京B1廠(chǎng)和上海八廠(chǎng)(兩者均為12吋廠(chǎng))等既有廠(chǎng)房的產(chǎn)能。

　　同時(shí)該公司也正在提升新成立的北京B2廠(chǎng)(12吋)與深圳十五廠(chǎng)(8吋)產(chǎn)能。中芯的擴充計畫(huà)同時(shí)包含了先進(jìn)的28納米/40納米產(chǎn)能，以及技術(shù)成熟的8吋晶圓制程。其他擴大產(chǎn)能的業(yè)者還包括武漢新芯(XMC)，旗下A廠(chǎng)產(chǎn)能將持續投入NOR快閃存儲代工業(yè)務(wù);上海華力(Huali)也即將成立第二座晶圓廠(chǎng)，預計明年動(dòng)工， 2018下半年起可望開(kāi)始投注產(chǎn)能。

　　未來(lái)幾年，臺灣的晶圓代工業(yè)者也將對晶圓代工產(chǎn)能有所貢獻。今年稍晚聯(lián)電位于廈門(mén)的12寸廠(chǎng)將開(kāi)始投產(chǎn)，2017年有力晶合肥廠(chǎng)，臺積電南京廠(chǎng)則將在2018年上線(xiàn)。這三處廠(chǎng)房全面投產(chǎn)后，將帶來(lái)每月至少11萬(wàn)片(12吋)晶圓的產(chǎn)能。

　　除了增加產(chǎn)能，先進(jìn)制程的技術(shù)競賽也特別激烈。臺積電、三星(Samsung)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)都想在10nm以下技術(shù)節點(diǎn)取得領(lǐng)先地位。技術(shù)的演進(jìn)將帶動(dòng)晶圓代工業(yè)者在未來(lái)幾年內持續投資，其中又以臺灣與中國大陸為最。

　　存儲產(chǎn)業(yè)，大陸強勢崛起

　　中國大陸現在的三大存儲基地已經(jīng)開(kāi)工，這可能對臺灣來(lái)說(shuō)，也是一個(gè)不大不小的挑戰。

　　據報道，近期大陸三股勢力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導權大戰，長(cháng)江存儲傳已評估到南京設立12吋廠(chǎng)，聯(lián)電大陸DRAM廠(chǎng)福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠(chǎng)同步研發(fā)25、30納米制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng )新(GigaDevice)合作的合肥長(cháng)鑫，由前中芯國際執行長(cháng)王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。

　　盡管大陸布局自制3DNANDFlash雛形漸現，長(cháng)江存儲將與已購并飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3DNAND技術(shù)，由于門(mén)檻較高，長(cháng)江存儲仍有機會(huì )急起直追國際存儲器大廠(chǎng)，然值得注意的是，全球存儲器產(chǎn)業(yè)將率先上演大陸力爭DRAM主導權戲碼。

　　目前大陸DRAM勢力處于戰國時(shí)代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長(cháng)江存儲之外，還有聯(lián)電旗下福建晉華，其主要操盤(pán)手為前瑞晶總經(jīng)理、現任聯(lián)電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長(cháng)芯。

　　長(cháng)江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統籌3D NAND和DRAM兩大存儲器技術(shù)發(fā)展，然大陸政府傳出針對長(cháng)江存儲DRAM布局進(jìn)行規范，若是自行研發(fā)DRAM技術(shù)必須先量產(chǎn)3D NAND，但若對外購買(mǎi)技術(shù)則無(wú)此限制，使得長(cháng)江存儲積極與國際大廠(chǎng)合作，以加速DRAM量產(chǎn)，并獲得專(zhuān)利保護傘。

　　長(cháng)江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術(shù)專(zhuān)利授權，業(yè)界亦傳出正著(zhù)手評估自建或購并現有晶圓廠(chǎng)的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設立12吋晶圓廠(chǎng)，長(cháng)江存儲執行長(cháng)楊士寧則表示，將以購并現有晶圓廠(chǎng)為第一考量。

　　近期武漢新芯12吋新廠(chǎng)已經(jīng)動(dòng)起來(lái)，單月產(chǎn)能規劃30萬(wàn)片，涵蓋NAND Flash和DRAM芯片，然業(yè)界預期長(cháng)江存儲兩大產(chǎn)品線(xiàn)的生產(chǎn)基地，最終仍會(huì )分開(kāi)進(jìn)行。至于大陸另外兩個(gè)DRAM陣營(yíng)亦加快腳步展開(kāi)研發(fā)自制，希望搶在長(cháng)江存儲之前先量產(chǎn)DRAM技術(shù)，以爭取大陸DRAM產(chǎn)業(yè)寶座。

　　聯(lián)電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠(chǎng)已經(jīng)動(dòng)工，預計2018年進(jìn)入量產(chǎn)，業(yè)界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯(lián)電在南科廠(chǎng)同時(shí)進(jìn)行25、30納米技術(shù)研發(fā)，預計2017年底完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時(shí)聯(lián)電南科廠(chǎng)DRAM技術(shù)將快速轉到福建晉華量產(chǎn)。

　　盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術(shù)，才有機會(huì )獲得大陸官方青睞，但聯(lián)電采取較謹慎作法，避免一下子投入25納米技術(shù)開(kāi)發(fā)面臨失敗風(fēng)險，遂同時(shí)研發(fā)30納米作為備案。

　　大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長(cháng)鑫，原本合肥市政府和Giga Device投資的廠(chǎng)房，傳出主要投入DRAM相關(guān)存儲器IC設計，然近期業(yè)界傳出該陣營(yíng)將豪擲逾新臺幣1，000億元，同時(shí)進(jìn)行DRAM研發(fā)和制造。

　　目前大陸這三股DRAM勢力持續進(jìn)行招兵買(mǎi)馬，并雙頭并進(jìn)朝向技術(shù)專(zhuān)利授權及自主技術(shù)研發(fā)模式發(fā)展，希望趁著(zhù)大陸DRAM主導權還未底定之前先卡好位，預期2018年這三大DRAM陣營(yíng)將力拚量產(chǎn)并陷入激戰。

　　根據臺灣本地的半導體觀(guān)察家陸行之所說(shuō)，目前看來(lái)，只要臺灣經(jīng)濟部投審會(huì )能在未來(lái)12個(gè)月內，(1)有條件通過(guò)紫光25%參股力成和南茂案—或改由長(cháng)江存儲申請參股或交換部分股權;或(2 )有條件開(kāi)放IC設計業(yè)讓長(cháng)江存儲參/換股NAND flash控制器的群聯(lián)電子;或(3)批準南亞科進(jìn)行技術(shù)合作來(lái)?yè)Q取長(cháng)江存儲的參股，這些臺灣存儲公司和員工，都還有機會(huì )參與中國大陸存儲產(chǎn)業(yè)5%到50%自給率一條龍式的全新布局，并與韓國大廠(chǎng)爭奪市場(chǎng)。

　　如果這些都無(wú)法完成，未來(lái)五到十年，臺灣存儲產(chǎn)業(yè)應會(huì )尋求機會(huì )與長(cháng)江存儲設立合資企業(yè)，或尋求機會(huì )溢價(jià)賣(mài)給日本歐美大廠(chǎng)尋求下市。否則長(cháng)江存儲必將大量從力成、南茂、群聯(lián)、南亞科高薪挖角以建立自己的供應鏈，并打擊僅存的臺灣存儲相關(guān)廠(chǎng)商。

　　華亞科溢價(jià)賣(mài)出，力成、南茂同意紫光參股，群聯(lián)潘健成董事長(cháng)最近不斷呼吁政府有條件開(kāi)放中資投資IC設計和為求企業(yè)經(jīng)營(yíng)彈性和生存而涉及子公司財報不實(shí)案，都在顯示，奄奄一息的臺灣存儲產(chǎn)業(yè)極需要政府更有策略思維的解救。