正式開(kāi)工 長(cháng)江存儲帶頭中國存儲產(chǎn)業(yè)啟航

　　今日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設的國家存儲器基地項目正式動(dòng)工，預計 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項目，初期計劃以先進(jìn)的3D NAND為策略產(chǎn)品。

　　據悉，此次動(dòng)工建設的存儲器基地位于武漢東湖高新區的武漢未來(lái)科技城，規劃建設3座3D NAND 生產(chǎn)工廠(chǎng)，1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套設施，總占地面積1968畝，預計到2020年可形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的規模，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元，到2030年可提升到每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能。作為項目承載地的武漢東湖高新區，正在努力打造世界級的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新中心。

　　從市場(chǎng)角度分析，中國擁有龐大的消費群體，個(gè)人、企業(yè)、國家數據存儲需求都在不斷攀升，還有華為、聯(lián)想、浪潮等服務(wù)器制造商，以及百度、騰訊、阿里巴巴等互聯(lián)網(wǎng)巨頭，同時(shí)中國物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)規模也正在以年增率30%的速度成長(cháng)。

　　然而，中國在數據存儲所需要的重要芯片上缺乏關(guān)鍵技術(shù)，幾乎90%以上都要依賴(lài)國外進(jìn)口。紫光集團聯(lián)合武漢新芯建設規模龐大的國家存儲器基地，生產(chǎn)先進(jìn)的3D NAND，將可填補中國在存儲器芯片領(lǐng)域的空白。

　　另外，紫光還與西部數據成立紫光西部數據有限公司，借助西部數據收購S(chǎng)anDisk在NAND Flash上的資源，以及西部數據在企業(yè)級市場(chǎng)上的優(yōu)勢，為中國本土客戶(hù)提供更好的大數據存儲解決方案及服務(wù)。

　　在國家大力發(fā)展的集成電路產(chǎn)業(yè)的契機下，紫光集團正在集合國家政策、資金實(shí)力以及上下游企業(yè)資源，在芯片制造、IC設計、封裝測試、硬件設施等方面建立一條完整的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)系統，將助力中國實(shí)現半導體產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟的跨越發(fā)展。