高通聯(lián)發(fā)科海思手機芯片10nm大戰開(kāi)打

　　手機晶片10奈米大戰正式開(kāi)打!手機晶片龍頭高通(Qualcomm)搶在美國消費性電子展(CES)前發(fā)表10奈米Snapdragon 835手機晶片，采用三星10奈米制程生產(chǎn)。聯(lián)發(fā)科交由臺積電10奈米代工的Helio X30也已進(jìn)入量產(chǎn)階段，明年上半年將再推出Helio X35搶市，至于華為旗下海思半導體Kirin 970也將在明年采用臺積電10奈米量產(chǎn)。

　　高通宣布子公司高通技術(shù)公司發(fā)表新一代Snapdragon 835手機晶片，雖然大部份細節規格都還沒(méi)正式公布，但說(shuō)明將支援最新的Quick Charge 4快充技術(shù)，進(jìn)行5分鐘充電后，將手機使用時(shí)間延長(cháng)至5小時(shí)以上，且Quick Charge 4支援 Type-C連接埠和通用匯流排電力傳輸(USB-PD)，可廣泛的適用于各種連接線(xiàn)和轉接器之上。

　　聯(lián)發(fā)科早在10月初就說(shuō)明了新一代10奈米Helio X30手機晶片部份細節。聯(lián)發(fā)科Helio X30手機晶片是10核心架構，確認將采用2+4+4的三叢集運算架構，包括運算時(shí)脈高達2.8GHz二核心ARM Cortex-A73、搭配運算時(shí)脈達2.2GHz的四核心ARM Cortex-A53、以及運算時(shí)脈達2.0GHz的四核心 ARM Cortex-A35。與上一代十核心Helio X20手機晶片相較，運算效能可提升43%，功耗上則可節省58%。

　　聯(lián)發(fā)科Helio X30已經(jīng)在第四季將率先進(jìn)入量產(chǎn)投片階段，采用臺積電10奈米制投片，策略上就是希望藉由臺積電在晶圓代工市場(chǎng)的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢來(lái)打造Helio X30，以對抗采用三星10奈米生產(chǎn)的高通Snapdragon 835。同時(shí)，聯(lián)發(fā)科新一代Helio X30手機晶片支援LTE Cat.10規格，并且是全球全模的手機晶片，預期明年第一季將可順利出貨，明年上半年還會(huì )再推出支援Cat.12的10奈米Helio X35搶市。

　　華為旗下海思半導體已經(jīng)加快10奈米微縮速度，業(yè)界預期，明年上半年將會(huì )推出首款采用臺積電10奈米生產(chǎn)的Kirin 970手機晶片，雖然架構上可能仍是8核心，但在數據機上會(huì )率先支援Cat.12的全球全模規格。