意法半導體提升車(chē)用40V MOSFET的噪聲性能和能效

　　橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)發(fā)布兩款40V汽車(chē)級MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導體最新的STripFET™ F7制造技術(shù)，開(kāi)關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導通能力強。新產(chǎn)品最大輸出電流達到120A，主要目標應用包括高電流的動(dòng)力總成、車(chē)身或底盤(pán)和安全系統，同時(shí)優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性使其特別適用于電機驅動(dòng)裝置，例如電動(dòng)助力轉向系統(EPS)。

　　意法半導體的STripFET系列采用DeepGATE™技術(shù)降低芯片單位面積導通電阻RDS(on)和RDS(on) x 柵電荷(Qg)值，在采用相同的功率器件封裝條件能效非常優(yōu)異。高雪崩特點(diǎn)是新產(chǎn)品另一大亮點(diǎn)。

　　通過(guò)降低體效應二極管的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時(shí)間(trr)，STripFET F7的開(kāi)關(guān)性能尤其是能效大幅提升，同時(shí)軟度更高的反向恢復可最大限度降低靜電干擾 (EMI)，從而放寬對濾波器件的要求。此外，電容得到優(yōu)化，使器件抗噪性得到改善，緩解了對緩沖電路的需求，閾壓調校使器件具有良好的耐抗誤導通性能，而無(wú)需專(zhuān)用柵驅動(dòng)器。在電機驅動(dòng)等電橋拓撲中，二極管軟恢復方法有助于防止直通電流現象發(fā)生，從而提高驅動(dòng)電路的可靠性。

　　40V STL140N4F7AG 和 STL190N4F7AG通過(guò)AEC-Q101標準認證，采用側面支持濕法焊接的PowerFLAT 5x6封裝。緊湊的封裝面積和0.8mm的厚度支持高系統功率密度，此外側面鍍錫設計有助于提升焊接可靠性和壽命，100%支持自動(dòng)光學(xué)檢驗工序。

　　40V車(chē)用STripFET F7 MOSFET即日起量產(chǎn)。