英特爾、三星等IDM大廠(chǎng)積極經(jīng)營(yíng)晶圓代工市場(chǎng)

　　三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)將大幅拓展晶圓代工事業(yè)領(lǐng)域。過(guò)去掌握晶圓代工市場(chǎng)的臺積電、格羅方德(Global Foundries)等單純晶圓代工業(yè)者，和三星、英特爾等綜合半導體企業(yè)(IDM)憑藉各自的優(yōu)勢，形成競爭版圖。

　　據韓國朝鮮日報報導，三星在大陸上海舉辦三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum)，以海思半導體、展訊、聯(lián)發(fā)科等IC設計業(yè)者為對象進(jìn)行技術(shù)說(shuō)明會(huì )。三星大陸負責人崔哲(音譯)在100多名業(yè)界與會(huì )人士面前公開(kāi)三星最尖端的10納米、14納米制程，并介紹8吋制程等可提升成本效益。

　　韓國業(yè)界認為，三星將以本次活動(dòng)為起點(diǎn)，積極在大陸確保晶圓代工客戶(hù)。三星自數年前開(kāi)始逐漸降低對最大客戶(hù)蘋(píng)果(Apple)的依賴(lài)，為吸引新客戶(hù)，扶植晶圓代工技術(shù)。2014年三星也與意法半導體(ST Microelectronics)合作，開(kāi)始研發(fā)28納米完全空乏式(depletion-type)絕緣上覆矽(FD-SOI)技術(shù)。

　　FD-SOI制程是在矽晶圓上制造輕薄絕緣氧化膜，再形成平面型電晶體電極的半導體制程。因外泄電流量少，用電效率最高提升近2倍，且可大幅縮減生產(chǎn)成本。2015年3月三星完成FD-SOI產(chǎn)品測試階段，目前也完成商用化生產(chǎn)準備。

　　韓國半導體業(yè)界人士表示，移動(dòng)應用處理器(AP)等高集成芯片一般會(huì )使用傳統3D FinFET制成，結合類(lèi)比電路的無(wú)線(xiàn)通訊(RF)芯片等，仍最適用FD-SOI制程。三星為生產(chǎn)處理器之外的芯片，一定會(huì )使用FD-SOI制程。

　　全球半導體龍頭英特爾也宣布在晶圓代工市場(chǎng)上拓展領(lǐng)域。韓國業(yè)界先前預測英特爾2011年進(jìn)軍晶圓代工市場(chǎng)，而英特爾也透過(guò)與樂(lè )金電子(LG Electronics)、展訊、拓朗半導體(Altera)等大客戶(hù)合作，正式跨足市場(chǎng)。近來(lái)英特爾獲得ARM設計授權，2017年下半將運用10納米制程，生產(chǎn)樂(lè )金手機AP產(chǎn)品。

　　三星、英特爾等IDM大廠(chǎng)加強對晶圓代工市場(chǎng)攻略的理由，是因相關(guān)市場(chǎng)獲利性將持續成長(cháng)。半導體微細制程轉換逐漸進(jìn)入瓶頸，IC設計業(yè)者委托生產(chǎn)具一定水準的芯片的成本也逐漸攀升。

　　外電引用市調機構IC Insights資料指出，2016年半導體整體市場(chǎng)將出現2%負成長(cháng)，但晶圓代工領(lǐng)域的成長(cháng)率預估有9%。

　　另一方面，臺積電獨吞逾5成市占率的晶圓代工市場(chǎng)版圖，是否會(huì )因三星和英特爾的攻勢出現變化，受到市場(chǎng)關(guān)注。韓國業(yè)界認為在生產(chǎn)效益方面，臺積電、格羅方德等專(zhuān)門(mén)晶圓代工業(yè)者握有優(yōu)勢，但在微細制程、封裝等高難度制程方面，三星和英特爾則較為領(lǐng)先。