聯(lián)發(fā)科Helio X35細節曝光：采用10nm工藝

　　據臺灣媒體報道，芯片廠(chǎng)商聯(lián)發(fā)科將在明年推出Helio X30。與此同時(shí)為了提高10nm工藝產(chǎn)能，聯(lián)發(fā)科也希望同樣采用10nm制程工藝來(lái)研制Helio X35。這種策略和之前發(fā)布的Helio X25和X20非常相似，這也是為了滿(mǎn)足更多中高端智能手機需求。

　　聯(lián)發(fā)科Helio X35細節曝光：采用10nm工藝(圖片來(lái)自于谷歌)

　　此前，聯(lián)發(fā)科COO朱尚祖曾透露Helio X30將采用臺積電10nm工藝，基帶支持3載波聚合，Cat.10-Cat.12的全網(wǎng)通，GPU方案拋棄了ARM Mali，而是來(lái)自imagination的PowerVR。

　　至于其余方面的信息，根據之前曝光的情況來(lái)看，Helio X30仍然沿用2*A72+4*A75+4*A35的十核架構。其中，兩枚A72將直奔2.8GHz，A53以及A35的主頻也將直接提升到2.2GHz以及2.0GHz。同時(shí)，Helio X30將支持最高8GB的LPDDR4閃存，支持UFS 2.1標準。

　　目前仍然沒(méi)有具體的Helio X35架構信息，不過(guò)按照之前X20與X25的關(guān)系來(lái)看，新版Helio X35與X30在架構上應該沒(méi)有區別，但是在主頻方面可能會(huì )繼續提升，以便在性能上拉開(kāi)差距。