英飛凌800 V CoolMOS P7系列設立效率和散熱性能的新基準

　　英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結技術(shù)，兼具出類(lèi)拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個(gè)新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應用，可完全滿(mǎn)足性能、易于設計和性?xún)r(jià)比等市場(chǎng)需求。它主要側重于反激式拓撲，這種拓撲常見(jiàn)于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應用。

　　800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當于將MOSFET溫度降低2到8 °C。這個(gè)新基準源于一系列優(yōu)化器件參數，包括Eoss和Qg降低50%以上，以及降低Ciss和Coss。這些出色的性能優(yōu)化可以降低開(kāi)關(guān)損耗,改善DPAK封裝能實(shí)現的最低 RDS(on)值，從而實(shí)現更高功率密度的設計?？偠灾?，這有助于客戶(hù)節省物料成本，減少組裝工作量。

　　易用性是這個(gè)產(chǎn)品家族從設計上就實(shí)現的固有特性。其集成式齊納二極管可大幅提升靜電防護能力，從而減少與靜電放電有關(guān)的產(chǎn)量損失。這個(gè)MOSFET擁有行業(yè)領(lǐng)先的高達3 V的V(GS)th和僅±0.5 V的最小VGS(th)波動(dòng)范圍。這個(gè)組合不僅可以降低驅動(dòng)電壓和開(kāi)關(guān)損耗,還它有助于避免線(xiàn)性區內發(fā)生意外操作。

　　供貨情況

　　800 V CoolMOS P7 MOSFET家族將提供12個(gè)RDS(on)級別和6種封裝，以全面滿(mǎn)足目標應用的需求。RDS(on)為280 mΩ、450 mΩ、1400 mΩ和4500 mΩ的產(chǎn)品現已可訂購。如欲了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.Infineon.com/p7。