英特爾工藝制程信息披露：推“14+”技術(shù) 10納米工藝分三波

　　在上周英特爾召開(kāi)的年度開(kāi)發(fā)者信息技術(shù)峰會(huì )IDF2016上，芯片巨頭英特爾披露了不少關(guān)于當前和未來(lái)工藝制程技術(shù)的信息，這些東西此前英特爾一直很少提及，或者盡可能少得透露。那么，本次大會(huì )究竟英特爾提到了那些細節呢?

　　第二代14納米工藝

　　英特爾最多談?wù)摰脑?huà)題是基于目前制造技術(shù)的“衍生科技(DerivativeTechnologies)”。所謂衍生技術(shù)，按照英特爾的解釋就是“性能得以提高，以及功能擴展變得越來(lái)越普遍”的技術(shù)。為此，英特爾發(fā)布了第一個(gè)基于衍生技術(shù)而來(lái)的技術(shù)：“14+”，還可以稱(chēng)之為“14nm+”或第二代14納米技術(shù)。

　　英特爾表示，該“衍生”技術(shù)在晶體管和金屬疊層增強的情況下，可以讓處理器起碼得到12%左右的性能提升。

　　很顯然，更完善的第二代14nm工藝將率先運用到英特爾即將推出的KabyLake微架構第七代酷睿處理器上。如果不出意外的話(huà)，2017年發(fā)布的14納米服務(wù)器處理器，也將基于“14nm+”工藝打造。

　　10納米工藝同樣分三波產(chǎn)品

　　英特爾稱(chēng)，未來(lái)發(fā)布的10納米工藝制程，也將根據衍生科技分迭代更新三次，分別為：“10”、“10+”和“10++”，支持多種最為領(lǐng)先的產(chǎn)品。

　　這就意味著(zhù)，2017年下半年發(fā)布的10納米技術(shù)產(chǎn)品只是第一代，隨后還有延續兩代，主要伴隨著(zhù)芯片底層架構的改進(jìn)以及相關(guān)制程工藝的改進(jìn)，而迎來(lái)適當的性能增強。

　　英特爾聲稱(chēng)注重密度優(yōu)勢而非趕工

　　英特爾談到了很多有關(guān)想制造技術(shù)的競爭優(yōu)秀，特別是芯片單位密集的晶體管密度。在英特爾看來(lái)，在一個(gè)固定的芯片面積上，能夠塞進(jìn)更多的晶體管，則意味著(zhù)擁有更多的特性和功能，而不是一味的追求新一代工藝制程。

　　有意思的是，英特爾還諷刺了半導體行業(yè)的競爭對手臺積電和三星，指出晶體管柵極與柵極之間的間距指標不如自家，特別是即將推出的10納米制造技術(shù)上密度差距很大，相反英特爾則遙遙領(lǐng)先，晶體管鱗片間距做得最為緊密，而且鱗片更高、更薄，更易于提高晶體管的驅動(dòng)電流和性能。

　　需要注意的是，英特爾的10納米要等到2017年年底，而競爭對手則在今年年底和明年年初。也就是說(shuō)，英特爾的新工藝比競爭對手晚了超過(guò)至少半年左右的時(shí)間。雖然沒(méi)有人否認晶體管密度指標越出色越好，但英特爾不得不面對的事實(shí)在于，2018年上半年臺積電就能過(guò)渡到7納米工藝制程。我們不清楚，更晚是否意味著(zhù)某種競爭的劣勢。

　　當然，盡管臺積電聲稱(chēng)，其7納米技術(shù)將會(huì )在性能和芯片面積方面優(yōu)于10納米，但未提到指定面積下的晶體管數量，所以是否縮小了與英特爾10納米技術(shù)的差距目前還不清楚。目前可以確定的是，英特爾的“10”、“10+”和“10++”絕對不會(huì )晶體管性能上妥協(xié)。

　　無(wú)論如何，英特爾還是那個(gè)英特爾，有實(shí)力讓任何質(zhì)疑英特爾在晶體管性能優(yōu)勢競爭中落后的人都閉嘴，當臺積電和三星的工藝制程仍只能用于打造移動(dòng)芯片的時(shí)候，英特爾的就已經(jīng)實(shí)現了多樣化發(fā)展，可以在各個(gè)市場(chǎng)叱咤風(fēng)云，無(wú)論是熟悉的服務(wù)器市場(chǎng)，還是傳統PC行業(yè)，乃至未來(lái)的物聯(lián)網(wǎng)設備，英特爾似乎做了最充分的準備。