Fairchild對于Powertrain及充電樁的相關(guān)見(jiàn)解

　　Powertrain設計持續地提高效率

　　當下傳統汽車(chē)與電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展如火如荼，功率電子方面的主要趨勢包括：增大功率密度、延長(cháng)到10萬(wàn)次以上的循環(huán)壽命、降低成本以及提高效率。

　　混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力總成設計持續地提高效率和減少CO2排放。電動(dòng)/混動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成中使用更少的機械零件，更多的電子元件，設計規則和對可靠性的要求跟傳統汽車(chē)漸行漸遠。由于電動(dòng)/混動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的快速增長(cháng)，動(dòng)力總成的設計周期越來(lái)越短。OEM廠(chǎng)家和一級廠(chǎng)家與供應商緊密合作，減少設計實(shí)踐，采用最新技術(shù)。

　　充電樁需要小系統，大功率

　　在充電樁方面，當下面臨的一個(gè)挑戰是在增大充電功率同時(shí)維持甚至減小整體系統大小?？蛻?hù)也開(kāi)始對應用中的關(guān)鍵器件提出更高可靠性的標準。一些工程師需要特定情況下的可靠性表現和參數，他們對充電樁經(jīng)驗越來(lái)越足，理解也越來(lái)越深。Fairchild的目標在于減少功率損耗，采用更小的封裝和更高的可靠性，通過(guò)結合先進(jìn)的硅/SiC技術(shù)以及先進(jìn)的封裝技術(shù)來(lái)實(shí)現。

　　Fairchild 市場(chǎng)技術(shù)經(jīng)理-混合電動(dòng)汽車(chē)(HEV)IGBT和整流器 劉寧一

　　Fairchild有眾多的高壓MOSFET(SuperFET)、IGBT和二極管來(lái)滿(mǎn)足OBC和充電樁不同需求的應用。通過(guò)SuperFET 2技術(shù)和插件/SMD封裝，客戶(hù)通過(guò)使用快速和軟開(kāi)關(guān)硅二極管，或者零反向恢復以及低漏電流的碳化硅二極管，可以實(shí)現高性能PFC和DC/DC。

　　另外，Fairchild有第三代和第四代場(chǎng)截止(FS3和FS4)Field Stop Trench快速IGBT，應用于成本敏感的設計。有額定電流高達160A的分立IGBT，也有帶溫度感測和電流感測功能，并且符合最新AEC-Q101標準的IGBT裸片。