武漢新芯將并入紫光集團旗下，掌權之爭由趙偉國出線(xiàn)

　　先前科技新報獨家揭露，統籌中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作，并有望獲得美光在 NAND Flash 的協(xié)助，現在事情再有新進(jìn)展，根據調研機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 說(shuō)法，紫光將于武漢成立新企業(yè)，未來(lái)武漢新芯將并入旗下，據科技新報取得的消息，最終由紫光集團董事長(cháng)趙偉國將出線(xiàn)掌舵新事業(yè)。

　　朝 NAND Flash 發(fā)展前進(jìn)

　　調研機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 今 27 日發(fā)布消息指出，紫光集團預計于武漢成立長(cháng)江存儲科技，未來(lái)將并入武漢新芯并統籌集團下一切存儲器發(fā)展項目，目前整體規劃朝向 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　DRAMeXchange 認為，紫光集團與武漢新芯目前將著(zhù)力于 NAND Flash 發(fā)展，除了因 NAND Flash 后市可期， 武漢新芯原為 NOR Flash 大廠(chǎng)，在生產(chǎn)經(jīng)驗、廠(chǎng)房與產(chǎn)能建置等基礎建設本就有所擅長(cháng)。DRAMeXchange 協(xié)理楊文得進(jìn)一步分析，紫光集團則在資金募集及策略并購等均有過(guò)人之處，透過(guò)兩強攜手整合資源，能使中國存儲器產(chǎn)業(yè)投資的整體資源配置更加集中，并在整合上產(chǎn)生更多綜效，對內得以于未來(lái)中國存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中瞄準較佳的地位，對外則能提升產(chǎn)業(yè)上談判的籌碼，有助于中國建立產(chǎn)業(yè)自主性。

　　根據科技新報先前取得的消息，紫光集團董事長(cháng)趙偉國、大基金總經(jīng)理丁文武可能在這之中扮演重要角色，新芯董事長(cháng)楊士寧等則可能有異動(dòng)，而目前最新消息，趙偉國確將擔任董事長(cháng)執掌合體之后的新事業(yè)。

　　飛索半導體之后再攜美光?

　　武漢新芯在 3 月底于武漢東湖高新區所擘劃的存儲器基地才舉行動(dòng)土典禮，規劃用于生產(chǎn) 3D-NAND Flash，預計 2018 年建設完成，官方預估，屆時(shí)與飛索半導體合作開(kāi)發(fā)的 3D-NAND Flash 將能達到 32 層堆疊，初期月產(chǎn)能約 20 萬(wàn)片，武漢新芯目標到 2020 年基地總產(chǎn)能達 30 萬(wàn)片/月、2030 年來(lái)到 100 萬(wàn)片/月。

　　楊文得表示，3D-NAND Flash 的廠(chǎng)房新建等投資遠高于 2D-NAND Flash 數倍，紫光/武漢新芯方若能循華亞科模式取得美光技術(shù)授權，則能以較低的財務(wù)負擔來(lái)獲取長(cháng)期新產(chǎn)能的布建，更有機會(huì )在市占率拉近與三星和東芝/威騰(WD)陣營(yíng)的距離。

　　3D-NAND Flash 現擴產(chǎn)潮

　　目前各家大廠(chǎng)在 3D-NAND Flash 產(chǎn)能的布建，三星在西安廠(chǎng)的投資外，韓國平澤廠(chǎng)區也規劃加大 3D-NAND Flash 產(chǎn)能，東芝與威騰(WD)旗下 SanDisk 日本 Fab2 廠(chǎng)在日前開(kāi)幕，新廠(chǎng)也可望自 2018 下半年投產(chǎn)，海力士則除現階段 M11 與 M12 廠(chǎng)外，M14 廠(chǎng)第二階段 3D-NAND 的生產(chǎn)也將從明年第一季后開(kāi)始進(jìn)行。英特爾美光陣營(yíng)在今年 3 月擴建新加坡 Fab10X 外，英特爾大連廠(chǎng)轉型生產(chǎn) 3D-NAND Flash 晶片也在這個(gè)月 25 日正式投產(chǎn)。

　　DRAMeXchange 預估，2011~2016 年 NAND Flash 位元需求量的年復合成長(cháng)率高達 47%，在 SSD 需求高度成長(cháng)的帶動(dòng)下，NAND Flash 未來(lái) 10 年可望皆維持強勁成長(cháng)態(tài)勢。