臺積牽手ARM 挑戰英特爾數據芯片霸業(yè)

　　晶圓龍頭臺積電(2330)攜手安謀(ARM)PK英特爾資料中心晶片(Data center Chip)霸主地位。據日經(jīng)新聞報導，兩家半導體巨擘合作開(kāi)發(fā)伺服器晶片技術(shù)，欲瓜分英特爾在資料中心高達99%獨占市占率。

　　臺積電與ARM合作并非首次，早在行動(dòng)裝置處理器時(shí)代，臺積電便與ARM合作成為市場(chǎng)技術(shù)主流，讓后進(jìn)者英特爾切入智慧型手機處理器不得其門(mén)而入，繳了百億學(xué)費，于今年首季鋃鐺宣布退出手機處理器市場(chǎng)，此次換成臺積電與ARM聯(lián)軍挑戰英特爾，兩方戰火從行動(dòng)處理器延伸到資料中心。

　　目前全球資料中心處理器英特爾一家獨大，市占率高達99%，2015年英特爾整體營(yíng)收衰退1%，唯獨伺服器晶片營(yíng)收年增11%，伺服器晶片占英特爾營(yíng)業(yè)利益高達50%，如此肥美大餅，并非僅有臺積電與ARM垂涎，過(guò)去AMD也曾在X86架構下與英特爾一較長(cháng)短，不過(guò)后來(lái)也被英特爾擊潰。

　　由于資料中心處理器要能處理大量、高速資料傳輸，且資料保存不能出錯，對于處理器制程要求更為先進(jìn)，此條件符合臺積電往高階先進(jìn)制程發(fā)展方向。而ARM架構伺服器晶片面對英特爾X86處理器有其成本及低耗功上優(yōu)勢，只不過(guò)在效能上，仍有一段差距。

　　日前ARM已宣布與臺積電完成全球第一顆10奈米晶片，面對ARM架構效能問(wèn)題，ARM以臺積電7奈米制程優(yōu)化提高效能。臺積電研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清指出，7奈米FinFET制程已擴大到高效能運算的應用，相較于10奈米FinFET制程，7奈米FinFET制程將在相同功耗下提供更多的效能優(yōu)勢，或在相同效能下提供更低的功耗。