東芝計劃投資3600億日元建設3D閃存新廠(chǎng)房

　　東芝近日公布聚焦能源、社會(huì )基礎設施、半導體存儲業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴大在存儲業(yè)務(wù)上的投資。為擴大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)，東芝在毗鄰日本四日市工廠(chǎng)(三重縣四日市市)的區域建造新廠(chǎng)房以及引進(jìn)生產(chǎn)設備的投資方案已獲得董事會(huì )批準。

　　閃存廣泛應用于智能手機等產(chǎn)品，根據預測，以企業(yè)服務(wù)器和數據中心為主的需求今后也將不斷擴大。東芝四日市工廠(chǎng)將進(jìn)行改造以便于在3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)中，能夠高效利用與2D閃存通用的現有制造工序。在四日市工廠(chǎng)，東芝正在建設全新的第二廠(chǎng)房作為3D閃存專(zhuān)用工序的廠(chǎng)房(預定2016財年上半期整體竣工)，此外，為滿(mǎn)足未來(lái)的需求增長(cháng)，除了目前在建的第二廠(chǎng)房以外，還需要新建3D閃存專(zhuān)用的生產(chǎn)廠(chǎng)房。

　　新廠(chǎng)房建造方案以及引進(jìn)生產(chǎn)設備的投資方案已經(jīng)獲得批準。從2016財年開(kāi)始的三年內，預計上述規劃所需的投資將達到3,600億日元左右。關(guān)于施工時(shí)間、產(chǎn)能、生產(chǎn)設備投資等的具體計劃，東芝將根據市場(chǎng)動(dòng)向，在2016財年內作出決定。

　　今后東芝與美國閃迪公司將繼續展開(kāi)共同投資的協(xié)商。

　　東芝未來(lái)把半導體存儲定位于主打業(yè)務(wù)之一，通過(guò)增加投資等措施，不斷提升業(yè)務(wù)的市場(chǎng)競爭力。作為日本最大的半導體制造商，東芝一直致力于半導體各個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng )新，3D閃存通過(guò)增加存儲疊層，進(jìn)一步拓展了閃存技術(shù)的發(fā)展空間，是未來(lái)存儲器市場(chǎng)的主流。

　　此次新廠(chǎng)房的建立，也是東芝推進(jìn)具有競爭力支柱業(yè)務(wù)的舉措之一。東芝近日宣布未來(lái)將重點(diǎn)圍繞能源、社會(huì )基礎建設和半導體存儲三大基礎業(yè)務(wù)推進(jìn)業(yè)務(wù)，優(yōu)化競爭力。在能源領(lǐng)域，以成為全球頂級企業(yè)為目標，目前，東芝在核電、可變速抽水蓄能發(fā)電、高效節能火力發(fā)電、地熱等領(lǐng)域擁有多項全球第一的技術(shù)或市場(chǎng)份額。并計劃在基礎設施領(lǐng)域擴大海外市場(chǎng)，獲取穩定收益，同時(shí)在定位為增長(cháng)支柱之一的存儲領(lǐng)域加快投資，依據所公布的2016財年中期計劃，計劃實(shí)現2016財年純利潤400億日元，2018財年純利潤1000億日元的盈利目標。