美國發(fā)明輝鉬憶阻器 或將改變未來(lái)半導體領(lǐng)域方向

　　據美國科學(xué)學(xué)術(shù)網(wǎng)3日報道，美科學(xué)家最近使用輝鉬制成了輝鉬基柔性憶阻器，可以用其制造低功耗的超高速存儲與計算芯片，科學(xué)學(xué)術(shù)網(wǎng)認為這一發(fā)明很可能讓半導體芯片世界從“硅時(shí)代”跨越到“輝鉬時(shí)代”。