我國已掌握新一代存儲芯片核心研發(fā)技術(shù)

　　11月28日，寧波時(shí)代全芯科技有限公司在寧波現場(chǎng)發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲芯片。這一成果的發(fā)布，使該公司成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術(shù)自主知識產(chǎn)權的企業(yè)，業(yè)內人士認為這將有利于打破存儲器芯片生產(chǎn)技術(shù)被國外公司壟斷的局面。

　　目前靜態(tài)隨機存儲技術(shù)、動(dòng)態(tài)隨機存儲技術(shù)和快閃存儲技術(shù)應用最為廣泛。近幾年才逐漸步入商品化的最新一代存儲技術(shù)——相變存儲技術(shù)，由于是利用材料相變產(chǎn)生不同的特性作資料存儲，存儲容量遠遠大于目前的高端硬盤(pán)。與現有傳統芯片相比，相變存儲器執行速度快1000倍，耐久性多1萬(wàn)倍。與快閃存儲一樣，相變存儲是非揮發(fā)性的，但比快閃存儲更耐用，通?？扉W存儲持續約為10萬(wàn)次讀/寫(xiě)，而相變存儲的耐用性數千至百萬(wàn)倍于閃存，其編程速度也比閃存具有數量級的優(yōu)勢，因此，這一新技術(shù)被認為會(huì )帶來(lái)一個(gè)顛覆性的存儲新時(shí)代。

　　實(shí)際上，相變存儲技術(shù)的研發(fā)歷史已經(jīng)有30多年，但是直到最近幾年，由于快速結晶材料的發(fā)現才開(kāi)始邁入商業(yè)化階段。第一批商業(yè)化的相變存儲產(chǎn)品預計在今年內推出，而其主流產(chǎn)品，如替代傳統硬盤(pán)的固態(tài)硬盤(pán)將于2014年推出。目前，全球只有三星、美光等國外廠(chǎng)商擁有商品化的相變存儲產(chǎn)品，而寧波時(shí)代全芯公司自主研發(fā)的55納米相變存儲芯片讓我國首次闖入了以前由外國廠(chǎng)商壟斷的相變存儲市場(chǎng)。

　　據了解，寧波時(shí)代全芯公司相變存儲技術(shù)擁有完全自主知識產(chǎn)權，已申請專(zhuān)利57項，正在申請的專(zhuān)利有141項。其研發(fā)團隊由美國國家工程院院士、中國科學(xué)院外籍院士馬佐平等專(zhuān)家組成。