存儲大廠(chǎng)業(yè)績(jì)高于預期

當地時(shí)間3月20日，存儲大廠(chǎng)美光科技公布截止2024年2月29日的2024財年第二季度業(yè)績(jì)。受惠于人工智能AI對HBM的強烈需求，美光科技該財季意外實(shí)現轉虧為盈，且本季財測優(yōu)于預期。

數據顯示，美光科技2 大 024財年第二季度收入為58.2億美元，上一季度為47.3億美元，去年同期為36.9億美元，同比增長(cháng)約57.7%，增速遠超第一財季的15.6%，高于51億到55億美元的公司自身指引區間。另外，2024年第二季度資本支出投資凈額為12.5億美元。

圖片來(lái)源：美光科技官網(wǎng)截圖

美光科技總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示，公司第二財季的業(yè)績(jì)，收入、毛利率和每股收益均遠高于預期。面對AI給半導體行業(yè)帶來(lái)的多年機遇，相信公司將是最大的受益者之一。

下游需求強盛，HBM產(chǎn)能吃緊

HBM是一款新型的CPU/GPU內存芯片，具備高帶寬、高容量、低延時(shí)與低功耗等優(yōu)勢，被視為“最適用于A(yíng)I訓練、推理的存儲芯片”。業(yè)界認為，HBM是加速未來(lái)AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。

受人工智能（AI）熱潮推動(dòng)，HBM成為存儲大廠(chǎng)業(yè)績(jì)回升的主要推動(dòng)力。美光科技預計整個(gè)2024財年，HBM產(chǎn)品將帶來(lái)“數億美元”的收入。Mehrotra表示，2024年的HBM已經(jīng)售罄，2025年的大部分供應也已獲得分配。

TrendForce集邦咨詢(xún)表示，HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(cháng)，從投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上。因此，急欲取得充足供貨的買(mǎi)家需要更早鎖定訂單量。大部分針對2024年度的訂單都已經(jīng)遞交給供應商，除非有驗證無(wú)法通過(guò)的情況，否則目前來(lái)看這些訂單量均無(wú)法取消（non-cancellable）。

以HBM產(chǎn)能來(lái)看，TrendForce集邦咨詢(xún)觀(guān)察，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM產(chǎn)能規劃最積極，三星HBM總產(chǎn)能至年底將達約130K（含TSV）；SK海力士約120K，但產(chǎn)能會(huì )依據驗證進(jìn)度與客戶(hù)訂單持續而有變化。另以現階段主流產(chǎn)品HBM3產(chǎn)品市占率來(lái)看，目前SK海力士于HBM3市場(chǎng)比重逾9成，而三星將隨著(zhù)后續數個(gè)季度AMD MI300逐季放量持續緊追。

此外，HBM產(chǎn)業(yè)比重逐漸增長(cháng)，TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷預估，截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長(cháng)約260%。預估2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。

大廠(chǎng)競相追逐，HBM3e將于今年迎放量周期

目前，高帶寬存儲器HBM（High Bandwidth Memory）已經(jīng)從HBM、HBM2、HBM2E，發(fā)展至HBM3、HBM3E。存儲大廠(chǎng)擴產(chǎn)重心主要在HBM3以及HBM3e產(chǎn)品上。

HBM3主要有SK海力士和三星供應，從供應端情況來(lái)看，據TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，目前，NVIDIA現有主攻H100的存儲器解決方案為HBM3，SK海力士是最主要供應商，然而供應不足以應付整體AI市場(chǎng)所需。至2023年末，三星以1Znm產(chǎn)品加入NVIDIA供應鏈，盡管比重仍小，但可視為三星于HBM3世代的首要斬獲。

TrendForce集邦咨詢(xún)調查指出，2024年第一季，三星HBM3產(chǎn)品也陸續通過(guò)AMD MI300系列驗證，其中包含其8h與12h產(chǎn)品，故自2024年第一季以后，三星HBM3產(chǎn)品將會(huì )逐漸放量。值得注意的是，過(guò)去在HBM3世代的產(chǎn)品競爭中，美光（Micron）始終沒(méi)有加入供應行列，僅有兩大韓系供應商獨撐，且SK海力士HBM市占率目前為最高，三星將隨著(zhù)后續數個(gè)季度MI300逐季放量，市占率將急起直追。

HBM3e方面，今年以來(lái)，市場(chǎng)目光將從HBM3轉向HBM3e，預計下半年將逐季放量，并逐步成為HBM市場(chǎng)主流。據悉，英偉達（NVIDIA）新一代含B100或H200的規格將為最新HBM3e產(chǎn)品。

從大廠(chǎng)最新動(dòng)態(tài)來(lái)看，SK海力士于3月19日宣布已開(kāi)始量產(chǎn)高帶寬內存產(chǎn)品HBM3E，將從3月下旬起向客戶(hù)供貨。據透露，該公司新芯片將首先發(fā)貨給英偉達，并用于其最新的Blackwell GPU。

美光科技透露在最近一個(gè)季度，公司首次從其新品HBM3E中獲得收入。該公司特別提到，HBM3E將于第二季末供給英偉達的AI芯片H200 Tensor Core GPU。

三星方面，該公司將于今年上半年開(kāi)始批量生產(chǎn)HBM3E 12H。TrendForce集邦咨詢(xún)表示，由于遞交樣品的時(shí)程較其他兩家供應商略晚，預計其HBM3e將于第一季末前通過(guò)驗證，并于第二季開(kāi)始正式出貨。由于三星HBM3的驗證已經(jīng)有了突破，且HBM3e的驗證若無(wú)意外也即將完成，這也意味著(zhù)該公司的出貨市占于今年末將與SK海力士拉近差距。

值得一提的是，近期，英偉達聯(lián)合創(chuàng )始人兼CEO黃仁勛對外暗示，英偉達正考慮從三星采購HBM芯片。黃仁勛表示，英偉達正處于對三星的HBM芯片進(jìn)行測試的階段，可能會(huì )在未來(lái)采用。不過(guò)英偉達“尚未”使用三星的HBM芯片。

半導體釋放上行信號

從周期性來(lái)看，半導體行業(yè)是典型的周期性行業(yè)，周期長(cháng)度約為4年左右，上行周期通常為2年至3年，下行周期通常為1年至1.5年。隨著(zhù)供需調整、庫存改善、價(jià)格上揚等上行信號釋放，業(yè)界預估半導體行業(yè)或將邁入上行周期。

不過(guò)美光科技總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示，2024會(huì )計年度的DRAM和NAND位元供應成長(cháng)仍低于需求成長(cháng)。但隨著(zhù)供應過(guò)剩問(wèn)題的緩解，Mehrotra認為，所有存儲器和存儲終端市場(chǎng)的定價(jià)都在改善，預估今年DRAM和NAND定價(jià)水準將進(jìn)一步提高。

存儲芯片價(jià)格自去年第三季度末開(kāi)始上揚，目前價(jià)格走勢仍是業(yè)界關(guān)心的重點(diǎn)。據TrendForce集邦咨詢(xún)指出，AI功能并未在今年實(shí)際帶動(dòng)NAND Flash容量升級，若最主要的需求市場(chǎng)Enterprise SSD采購沒(méi)有明顯回升，今年整體NAND Flash需求位元成長(cháng)可能不如預期。預估NAND Flash合約價(jià)漲幅自第二季起，將收斂至10~15%，至第三季會(huì )再降至0~5%。

展望2024年第一季DRAM市場(chǎng)趨勢，TrendForce集邦咨詢(xún)認為，原廠(chǎng)目標仍為改善獲利，漲價(jià)意圖強烈，促使DRAM合約價(jià)季漲幅近兩成，然出貨位元則面臨傳統淡季而略微衰退。