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EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設計應用 > DS2433設計轉變?yōu)镈S24B33 4Kb 1-Wire EEPROM

DS2433設計轉變?yōu)镈S24B33 4Kb 1-Wire EEPROM

作者： 時(shí)間：2011-11-02 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò ) 收藏
/TD>注3：工作在接近最低電壓(2.8V)時(shí)，建議下降沿擺率為15V/μs或更快。
影響：由于采用新一代半導體工藝，DS24B33可承受的最大值低于DS2433。由于大多數應用工作在5V ±5%或更低，這一變化應該不是問(wèn)題。

措施：如果實(shí)際應用工作在6V ±5%，則降低上拉電壓。例如，將一個(gè)或兩個(gè)通用的硅二極管與上拉電阻串聯(lián)。二極管大約0.7V的導通壓降可降低1-Wire電壓，實(shí)現安全工作。
  • 上拉電阻
    說(shuō)明：該參數規定1-Wire上拉電阻的允許范圍。如果電阻過(guò)大，沒(méi)有足夠時(shí)間為1-Wire從器件的寄生電源重新充電；如果電阻值過(guò)小，可能不滿(mǎn)足最大VIL指標。

    摘自DS2433數據資料
    SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
    RPUP
    kΩ

    DS2433數據資料在電氣特性表中未明確給出RPUP，但給出了一些文字指導。DS2433數據資料圖8中的文字規定單點(diǎn)網(wǎng)絡(luò )的指標：“讀操作為5kΩ，VPUP≥ 4V時(shí)寫(xiě)操作為2.2kΩ。根據1-Wire通信速率和總線(xiàn)負載特性，上拉電阻優(yōu)化在1.5kΩ至5kΩ范圍”。

    摘自DS24B33數據資料
    SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
    RPUP
    0.3
    2.2
    kΩ
    2, 4
    注2：系統要求。
    注4：最大允許上拉電阻是系統中1-Wire器件數量、1-Wire恢復時(shí)間以及EEPROM編程所需電流的函數。此處給出的數值適用于只有一個(gè)器件、具有最小1-Wire恢復時(shí)間的系統。對于負載較重的系統，可能需要有源上拉，例如DS2482-x00或DS2480B。

    影響：相對于DS2433數據資料，DS24B33數據資料給出了關(guān)于上拉電阻范圍的詳細信息。DS24B33的上限符合tREC測試條件。下限不會(huì )對5V ±5%環(huán)境下的DS24B33造成應力。然而，在最差工作條件下(即DS24B33的輸出晶體管阻抗= VOLMAX/4mA = 100Ω)，DS24B33拉低1-Wire總線(xiàn)時(shí)，所產(chǎn)生的VOL值為：100Ω/(100Ω + 300Ω) × VPUP。為滿(mǎn)足其它1-Wire從器件和主控器件的最大VIL要求，2.8V下最小、最安全的RPUP值為600Ω。

    措施：檢查應用中的上拉電阻。如果上拉電阻高于2.2kΩ，則用較小的電阻代替它，或使用不同的1-Wire主控器件。更多建議請參見(jiàn)輸入電容部分。

    • 技術(shù)改進(jìn)

    1. EEPROM使用壽命
      說(shuō)明：該參數規定EEPROM單元在給定溫度下可承受的無(wú)差錯寫(xiě)次數。通常情況下，使用壽命遠遠高于給出的最小值。

      摘自DS2433數據資料
      SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
      NCYCLE
      		TA= +25°C
      VPUP= 5.0V
      50k
      7
      注7：執行Copy Scratchpad命令期間，DS2433自動(dòng)擦除要寫(xiě)入的存儲器?？偩€(xiàn)主控器件無(wú)需采取其它步驟。

      摘自DS24B33數據資料<

      關(guān)鍵詞： DS2433 DS24B33 EEPROM

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      SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAX