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DS2433設計轉變?yōu)镈S24B33 4Kb 1-Wire EEPROM
作者：
時(shí)間：2011-11-02
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò )
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TD style="PADDING-RIGHT: 0px; PADDING-LEFT: 0px; PADDING-BOTTOM: 0px; MARGIN: 0px; PADDING-TOP: 0px">UNITS| NOTES | | NCY | At +25°C | 200k | | | | 20, 21 |
| At +85°C | 50k | | |
| 注20： | 當TA升高時(shí)，有效的寫(xiě)次數會(huì )降低。 |
| 注21： | 未進(jìn)行100%生產(chǎn)測試；由可靠性抽樣監測保證。 |
影響：+25°C時(shí)，
DS24B33至少是
DS2433的4倍。未給出
DS2433在+85°C時(shí)的使用壽命。
EEPROM數據保持
說(shuō)明：該參數規定存儲器沒(méi)有重新寫(xiě)入數據(刷新)時(shí)，能夠保持數據完整性的時(shí)間。通常情況下，數據保持時(shí)間遠遠大于所給定的最小值。
摘自DS2433數據資料| SYMBOL | CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNITS | NOTES |
| tDR | | | | | Years | |
沒(méi)有規定。
摘自DS24B33數據資料
| SYMBOL | CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNITS | NOTES |
| tDR | At +85°C | 40 | | | Years | 22, 23, 24 |
| 注22： | TA升高時(shí)，數據保持時(shí)間下降。 |
| 注23： | 短時(shí)間內，100%高溫生產(chǎn)測試保證；該生產(chǎn)測試等效于數據資料中的工作溫度范圍，這些數據是在可靠性測試中確定的。 |
| 注24： | 超出數據保持時(shí)間后，或許不能正常寫(xiě)入EEPROM。不建議長(cháng)時(shí)間儲存在高溫下，+125°C下儲存10年或+85°C下儲存40年后，器件可能喪失寫(xiě)能力。 |
影響：DS24B33滿(mǎn)足當前工業(yè)標準。
- ROM功能“Resume”
說(shuō)明：與許多新推出的1-Wire從器件一樣，DS24B33支持網(wǎng)絡(luò )功能命令Resume。一旦通過(guò)Match ROM、Search ROM或Overdrive Match ROM成功選中DS24B33，Resume命令即允許再次讀/寫(xiě)相同器件，無(wú)需指定64位注冊碼。
影響：對于存在多個(gè)從器件的網(wǎng)絡(luò )，Resume能夠減輕多次讀/寫(xiě)同一器件的通信開(kāi)銷(xiāo)，例如，隨機讀取存儲器或更新存儲器數據。DS24B33支持該命令，DS2433則不支持該命令，所以應用中可據此在電氣特性上區分這兩個(gè)部件。
- 1-Wire前端
說(shuō)明：前端是芯片內部支持訪(fǎng)問(wèn)器件資源(例如存儲器)通信協(xié)議的電路。前端決定了在嘈雜環(huán)境下通信波形的定時(shí)容差和1-Wire從器件的性能。
影響：類(lèi)似于多種新型1-Wire從器件，DS24B33前
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