利用安森美IGBT實(shí)現高能效的高性能開(kāi)關(guān)應用

　　•3) 功率因數校正
　　安森美半導體的600伏專(zhuān)用于功率因數校正和升壓的600伏IGBT采用第一代場(chǎng)截止工藝，可以低廉價(jià)格實(shí)現可靠工作、低導通電壓和低開(kāi)關(guān)損耗，提升系統開(kāi)關(guān)效率，節省線(xiàn)路板空間，包括NGTG50N60FWG和NGTG30N60FWG等?；谶@類(lèi)應用的特殊性，這類(lèi)IGBT不含并聯(lián)續流二極管，適用于太陽(yáng)能逆變器升壓轉換器、空調機空濾引述校正和不間斷電源功率因數校正等低頻硬開(kāi)關(guān)或是高頻軟開(kāi)關(guān)電路。安森美半導體開(kāi)發(fā)的單相3千瓦功率因數校正系統可用于IGBT的測試。

　　•4) 逆變式電焊機
　　安森美半導體還提供一系列可用于逆變式電焊機的600伏和1200伏從15到50安培IGBT(包括NGTB50N120FL2和NGTB50N60FLWG等)，采用場(chǎng)截止第一代工藝和場(chǎng)截止第二代工藝，這些IGBT有較低的導通壓降和開(kāi)關(guān)損耗，可降低并聯(lián)續流二極管正向導通壓，提升系統開(kāi)關(guān)效率，低功率損耗，節省線(xiàn)路板空間，適用于全橋式逆變電焊機、半橋式逆變電焊機、電焊機功率因數校正、高頻電焊機、激光切割機等高速開(kāi)關(guān)應用。

　　•5) 不間斷電源和太陽(yáng)能逆變器
　　安森美半導體用于不間斷電源和太陽(yáng)能逆變器 (包括中點(diǎn)鉗位式逆變器) 的1200伏和600伏IGBT(包括NGTB50N120FL2和NGTB50N60FLWG等)采用場(chǎng)截止第一代和場(chǎng)截止第二代工藝，價(jià)格低廉，工作可靠，導通電壓低，開(kāi)關(guān)損耗小，并聯(lián)的高速續流二極管正向導通電壓低。這些器件適用于電池充電器、不間斷電源、功率因數校正、全橋和半橋式太陽(yáng)能逆變器/變換器、中點(diǎn)鉗位式逆變器、升壓變換器半/全橋拓撲結構。安森美半導體提供不同功率的逆變器用來(lái)測試分立式IGBT和IGBT模塊。

　　安森美半導體的客戶(hù)已成功使用其場(chǎng)截止型第一代IGBTNGTB50N60FLWG開(kāi)發(fā)出了各種應用，如功率10 千伏安、功率因數0.9的不間斷電源，以及采用半橋諧振拓撲結構的1450瓦廚用電爐?？蛻?hù)認為，安森美半導體場(chǎng)截止型第一代IGBT的性能達到了市場(chǎng)上最好的性能;其IGBT在電磁爐上的溫升低于其它2款I(lǐng)GBT。

　　未來(lái)，安森美半導體將推出超過(guò)20款第四代 (場(chǎng)截止型第二代) IGBT以及專(zhuān)用于逆變式電焊機IGBT，并繼續開(kāi)發(fā)IGBT模塊。無(wú)論客戶(hù)的產(chǎn)品需求如何，安森美半導體總有一款高性能、高能效的IGBT方案能夠滿(mǎn)足要求，幫助設計工程師設計出高能效及高性能的產(chǎn)品。