利用安森美IGBT實(shí)現高能效的高性能開(kāi)關(guān)應用

　　今天，不論是用在工業(yè)領(lǐng)域還是民用產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)應用，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)都可以提供有效的解決方案，以實(shí)現最終產(chǎn)品的高能效和高性能。在節能至上的市場(chǎng)上，電子設計人員首選可以實(shí)現高能效的器件，而且要針對不同應用選擇合適的IGBT。推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體提供豐富的分立式IGBT方案，廣泛用于電磁爐、不間斷電源(UPS )、太陽(yáng)能逆變器和逆變電焊機等領(lǐng)域。

　　IGBT技術(shù)概述

　　IGBT有強耐能量沖擊能力和強耐短路電流能力 (5至10微秒)?，F有IGBT包括溝道非穿通型 (NPT)、溝道場(chǎng)截止型 (FS) 第一代和溝道場(chǎng)截止型第二代IGBT等類(lèi)型。隨著(zhù)制造工藝的進(jìn)步，開(kāi)始采用50微米晶圓及金屬背板，超薄晶圓及其背面處理工藝減少了IGBT的導通和開(kāi)關(guān)損耗。

　　對比溝道非穿通型和溝道場(chǎng)截止型IGBT可以發(fā)現，前者的電場(chǎng)強度在硅漂移區 (n-FZ)線(xiàn)性遞減到0，硅漂移區厚度與耐壓成線(xiàn)性正比，因此具有高導通壓降和高關(guān)斷損耗;后者用N緩沖層減少了硅漂移區的厚度，實(shí)現了超薄晶圓，從而實(shí)現了低導通壓降和低關(guān)斷損耗 (圖1)。

　　從技術(shù)趨勢看，6至8英寸晶圓的厚度在不斷縮減，從最初的250 μm到目前生產(chǎn)的100 μm和75 μm，還有50 μm和40 μm厚度正在研發(fā)當中?？梢灶A期，今后IGBT的性能仍有望提高。

　　安森美半導體IGBT產(chǎn)品及應用市場(chǎng)

　　安森美半導體提供完善的IGBT產(chǎn)品系列，可以根據頻率、應用和電壓進(jìn)行分類(lèi) (表1)，不同產(chǎn)品有不同的特性和應用范圍。

　　安森美半導體的29款場(chǎng)截止第一代IGBT中600伏 IGBT 性能接近或超過(guò)市場(chǎng)領(lǐng)先產(chǎn)品;新發(fā)布的8款1200伏/1350伏用于電磁感應加熱的場(chǎng)截止型第二代IGBT，其性能領(lǐng)先于市場(chǎng)同類(lèi)產(chǎn)品;還有新發(fā)布的3款1200伏場(chǎng)截止型第二代通用IGBT，性能與市場(chǎng)同類(lèi)產(chǎn)品相媲美。

　　在工業(yè)應用方面，分立式IGBT的市場(chǎng)應用主要包括電機驅動(dòng)、逆變式電焊機、變頻驅動(dòng)、功率因數校正，安森美半導體提供的主要產(chǎn)品有1200 V/ 15 A-40 A及600 V/ 30 A-50 A;用于不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器、高效功率轉換器應用的主要產(chǎn)品是600 V/30 A-50 A及1200 V/15 A-40 A;而用于家用電器，如電火鍋和電飯鍋、廚用電爐、空調機功率因數校正的主要產(chǎn)品有1200V/15A-40A、600V/30A-40A和600V/30A-50A。

　　安森美半導體同時(shí)提供相應的技術(shù)支持，如2千瓦電機驅動(dòng)測試系統、2千瓦電磁爐測試系統、3千瓦功率因數校正測試板、10千瓦中點(diǎn)鉗位轉換器，以及用于測試IGBT模塊的100千瓦太陽(yáng)能逆變器，350安培逆變式電焊機正在開(kāi)發(fā)中。

　　安森美半導體IGBT產(chǎn)品應用示例

　　1) 電磁感應加熱
　　安森美半導體的IGBT采用溝道場(chǎng)截止工藝，以合理的價(jià)格提供可靠性和優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能。其600伏30安培和40安培場(chǎng)截止型第一代IGBT導通電壓低、開(kāi)關(guān)損耗小，專(zhuān)門(mén)為半橋諧振式電磁感應加熱設備設計，產(chǎn)品包括NGTB40N60IHLWG和NGTB30N60IHLWG;其1200伏15安培到40安培場(chǎng)截止型第一代IGBT導通電壓低、開(kāi)關(guān)損耗小，專(zhuān)門(mén)為單端諧振式電磁感應加熱設備設計，產(chǎn)品包括NGTB15N120IHLWG、NGTB20N120IHLWG、NGTB25N120IHLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG和NGTB30N120IHSWG。兩者均可降低并聯(lián)續流二極管的正向導通電壓。而近期推出的用于電磁感應加熱的15安培到40安培的1200伏和1350伏第二代場(chǎng)截止型IGBT系列可提供更低的開(kāi)關(guān)損耗，工作可靠，適用于各類(lèi)諧振和軟開(kāi)關(guān)應用，典型產(chǎn)品包括NGTB30N120IHR、NGTB30N135IHR、NGTB40N120IHR和NGTB40N135IHR等。這些器件的優(yōu)點(diǎn)是提升系統開(kāi)關(guān)效率低功率損耗和節省線(xiàn)路板空間。安森美半導體為此開(kāi)發(fā)了用于IGBT測試的2千瓦單端諧振電磁爐測試平臺。

　　•2) 電機驅動(dòng)
　　安森美半導體的通用型600伏非穿通型IGBT包括15到50安培的一系列型號(包括NGTB15N60EG、NGTB30N60FWG和NGTB50N60FWB等)，以及通用型1200伏IGBT包括15到40安培的一系列型號 (采用第一代場(chǎng)截止工藝，包括NGTB15N120LWG、NGTB20N120LWG、NGTB25N120LWG、NGTB30N120WG和NGTB40N120LWG)，可降低并聯(lián)續流二極管的正向導通電壓，具有導通電壓低、開(kāi)關(guān)損耗小、提升系統效率、節省線(xiàn)路板空間等優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于包括電機驅動(dòng)、各種逆變器、變頻驅動(dòng)、泵、空氣交換機等工業(yè)領(lǐng)域的硬開(kāi)關(guān)電路。安森美半導體開(kāi)發(fā)了用于IGBT測試三相全橋2千瓦電機驅動(dòng)系統測試平臺。