MOSFET驅動(dòng)器及功耗計算介紹

我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型：



Cgs：由源極和溝道區域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結果。第一JFET區域和門(mén)電極的重疊，第二是
耗盡區電容（非線(xiàn)性）。等效的Cgd電容是一個(gè)Vds電壓的函數。
Cds：也是非線(xiàn)性的電容，它是體二極管的結電容，也是和電壓相關(guān)的。
這些電容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss決定的。
由于Cgd同時(shí)在輸入和輸出，因此等效值由于 Vds電壓要比原來(lái)大很多，這個(gè)稱(chēng)為米勒效應。
由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的，我們在實(shí)際應用的時(shí)候需要修改Cgd的值。



開(kāi)啟和關(guān)斷的過(guò)程分析：



功耗的計算：
MOSFET 驅動(dòng)器的功耗包含三部分：
1. 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。
與MOSFET柵極電容充電和放電有關(guān)。這部分功耗通常是最高的，特別在很低的開(kāi)關(guān)頻率時(shí)。
2. 由于MOSFET 驅動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。
高電平時(shí)和低電平時(shí)的靜態(tài)功耗。
3. MOSFET 驅動(dòng)器交越導通（穿通）電流產(chǎn)生的功耗。
由于MOSFET 驅動(dòng)器交越導通而產(chǎn)生的功耗，通常這也被稱(chēng)為穿通。這是由于輸出驅動(dòng)級的P溝道和N 溝道場(chǎng)效應管（FET）在其導通和截止狀態(tài)之間切換時(shí)同時(shí)導通而引起的。