功率MOSFET數據表深入分析
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Transfer Curve：是用圖表的方式表達出ID和Vgs的函數關(guān)系。廠(chǎng)商會(huì )給出在不同環(huán)境溫度下的三條曲線(xiàn)。通常這三條曲線(xiàn)都會(huì )相交與一點(diǎn)，這個(gè)點(diǎn)叫做溫度穩定點(diǎn)。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/185902.htm
如果加在MOSFET的Vgs低于溫度穩定點(diǎn)（在IPD90N06S4-04中是Vgs6.2V），此時(shí)的MOSFET是正溫度系數的，就是f，ID的電流是隨著(zhù)結溫同時(shí)增加的。在設計中，當應用在大電流的設計中時(shí)，應避免使功率MOSFET工作在在正溫度系數區域。
當Vgs超過(guò)溫度穩定點(diǎn)（在IPD90N06S4-04中是Vgs>6.2V）, MOSFET是正溫度系數的, 就是f，ID的電流是隨著(zhù)結溫的增加是減少的。這在實(shí)際應用中是一個(gè)非常好的特性，特別是是在大電流的設計應用中時(shí)，這個(gè)特性會(huì )幫助功率MOSFET通過(guò)減少I(mǎi)D電流來(lái)減少結溫的增加。
EAS: 為了了解在雪崩電流情況下功率MOSFET的工作情況，數據表中給出了雪崩電流和時(shí)間對應的曲線(xiàn)，這個(gè)曲線(xiàn)上可以讀出在相應的雪崩電流下，功率MOSFET在不損壞的情況下能夠承受的時(shí)間。對于同樣的雪崩能量，如果雪崩電流減少，能夠承受的時(shí)間會(huì )變長(cháng)，反之亦然。環(huán)境溫度對于雪崩電流的等級也有影響，當環(huán)境溫度升高時(shí)，由于收到最大結溫的限制，能夠承受的雪崩電流會(huì )減少。
數據表中給出了功率MOSFET能夠承受的雪崩能量的值。在次例子中，室溫下的EAS=331mJ
上表給出的只是在室溫下的EAS，在設計中還需要用到在不同環(huán)境溫度下的EAS，廠(chǎng)商在數據表中也會(huì )給出，如下圖所示。
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