如何減少電源損耗實(shí)現電源效率最大化

　　我們建議使用如下輸出電流函數來(lái)計算電源損耗：

下一步是利用上述簡(jiǎn)單表達式，并將其放入效率方程式中：

這樣，輸出電流的效率就得到了優(yōu)化(具體論證工作留給學(xué)生去完成)。這種優(yōu)化可產(chǎn)生一個(gè)有趣的結果。當輸出電流等于如下表達式時(shí)，效率將會(huì )最大化。

需要注意的第一件事是，a1 項對效率達到最大時(shí)的電流不產(chǎn)生影響。這是由于它與損耗相關(guān)，而上述損耗又與諸如二極管結點(diǎn)的輸出電流成比例關(guān)系。因此，當輸出電流增加時(shí)，上述損耗和輸出功率也會(huì )隨之增加，并且對效率沒(méi)有影響。需要注意的第二件事是，最佳效率出現在固定損耗和傳導損耗相等的某個(gè)點(diǎn)上。這就是說(shuō)，只要控制設置 a0 和 a2 值的組件，便能夠獲得最佳效率。還是要努力減小 a1 的值，并提高效率?？刂圃擁椝媒Y果對所有負載電流而言均相同，因此如其他項一樣沒(méi)有出現最佳效率。a1 項的目標是在控制成本的同時(shí)達到最小化。表 1 概括總結了各種電源損耗項及其相關(guān)損耗系數，該表提供了一些最佳化電源效率方面的折中方法。例如，功率 MOSFET 導通電阻的選擇會(huì )影響其柵極驅動(dòng)要求及 Coss 損耗和潛在的緩沖器損耗。低導通電阻意味著(zhù)，柵極驅動(dòng)、Coss 和緩沖器損耗逆向增加。因此，您可通過(guò)選擇 MOSFET 來(lái)控制 a0 和 a2。壓;它們還包含兩組低壓差線(xiàn)性穩壓器(LDO)，負責提供電源給鎖相回路 (PLL) 和SRAM或處理器的其它功能模塊。這些器件還有許多功能未列在表中，例如后備電池支持、I2C界面和重置功能。 表 1 損耗系數及相應的電源損耗損耗系數舉例

　　a0偏壓損耗 Coss 損耗

　　內核損耗 緩沖器損耗

　　柵極驅動(dòng)損耗

　　a1二級管結點(diǎn)損耗 開(kāi)關(guān)損耗

　　逆向恢復損耗 SR 停滯時(shí)間損耗

　　a2FFT 電阻損耗 繞組損耗

　　漏電感損耗 蝕刻損耗

　　電容器紋波 | 損耗 電流感應損耗

　　代數式下一位將最佳電流代回到效率方程式中，解得最大效率為：

需要最小化該表達式中的最后兩項，以最佳化效率。a1 項很簡(jiǎn)單，只需對其最小化即可。末尾項能夠實(shí)現部分優(yōu)化。如果假設 MOSFET 的 Coss 和柵極驅動(dòng)功率與其面積相關(guān)，同時(shí)其導通電阻與面積成反比，則可以為它選擇最佳面積(和電阻)。圖 1 顯示了裸片面積的優(yōu)化結果。裸片面積較小時(shí)，MOSFET 的導通電阻變?yōu)樾氏拗破?。隨著(zhù)裸片面積增加，驅動(dòng)和 Coss 損耗也隨之增加，并且在某一點(diǎn)上變?yōu)橹饕獡p耗組件。這種最小值相對寬泛，從而讓設計人員可以靈活控制已實(shí)現低損耗的 MOSFET 成本。當驅動(dòng)損耗等于傳導損耗時(shí)達到最低損耗。

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