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損耗
損耗 文章 進(jìn)入損耗技術(shù)社區
一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算，圖文結合+計算公式步驟
- 今天給大家分享的是：IGBT的損耗與結溫計算。與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來(lái)確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下：如何測量功率計算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據電路拓撲和工作條件，兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì )有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導
- 關(guān)鍵字： IGBT 損耗 溫升
PCB哪些因素影響損耗
- 我們經(jīng)常討論PCB中損耗大小的問(wèn)題。有的工程師就會(huì )問(wèn)，哪些因為會(huì )影響損耗的大小呢？其實(shí)，最常見(jiàn)的答案通常會(huì )說(shuō)PCB材料的損耗因子、PCB傳輸線(xiàn)的長(cháng)度、銅箔粗糙度，其實(shí)答案肯定遠不至于此。下面我們分別就相應參數做一些實(shí)驗給大家介紹下PCB板中哪些因素對傳輸線(xiàn)損耗有影響。首先看看介質(zhì)損耗因子Df對損耗的影響，以Df為變量，分析Df的變化對損耗的影響，下圖是分析的原理圖：仿真對比結果如下，顯然，隨著(zhù)PCB介質(zhì)損耗因子的變大，損耗越來(lái)越大：長(cháng)度也是損耗的主要因素之一，把傳輸線(xiàn)長(cháng)度設定為L(cháng)en變量，分析Len的變化
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高速的挑戰 – 傳輸鏈路的損耗和均衡
- 高速總線(xiàn)升級迭代的矛盾在于，消費者對性能的需求驅動(dòng)著(zhù)信號速率成倍的增長(cháng)，消費者對便捷性的需求使得傳輸線(xiàn)無(wú)法縮短，消費者對低成本的追求要求PCB板材和傳輸線(xiàn)不能太貴，這就導致ISI抖動(dòng)變得越來(lái)越嚴重。均衡(Equalization)就是為了應對ISI抖動(dòng)，而被廣泛應用的黑科技。既然ISI抖動(dòng)的根源，是傳輸鏈路對不同頻率信號損耗的差異，均衡就是要想辦法補償掉這個(gè)差異，讓不同頻率信號的幅度都能保持均勻。根據均衡技術(shù)所使用的位置，一般分為發(fā)送端均衡(Tx EQ)和接收端均衡(Rx EQ)。發(fā)送端均衡一般采用前向均
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新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應用中的損耗
- 本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現在兩個(gè)方面：
- 關(guān)鍵字： IGBT 軟開(kāi)關(guān) 損耗
一種降低肖特基PIN限幅器損耗的方法
- 介紹 無(wú)線(xiàn)通信接收器前端可能會(huì )因同步或異步信號傳輸形成過(guò)載[1],在時(shí)域雙工系統中，交換器或循環(huán)器連接端口間的非完美隔離會(huì )造成前者，后者則由兩個(gè)未相關(guān)系統天線(xiàn)間造成的非故意耦合產(chǎn)生，在核磁共振(NMR, Nuclear Magnetic Resonance)接收器中，另一個(gè)造成過(guò)載的原因為發(fā)出刺激脈沖后探針線(xiàn)圈上儲存能量所帶來(lái)的振鈴信號[2],縮小低噪聲放大器(LNA, Low Noise Amplifier)器件尺寸的作法雖然可以改善射頻性能，但卻會(huì )犧牲過(guò)載的承受能力，例如采用0.25μ
- 關(guān)鍵字： 肖特基 PIN 損耗
無(wú)電解電容LED驅動(dòng)電路
- 針對現有LED驅動(dòng)電路存在電解電容限制壽命的不足，提出了一種無(wú)電解電容的LED驅動(dòng)電路的設計方法。該方法采用Panasonic松下MIP553內置PFC可調光LED驅動(dòng)電路的芯片，與外部非隔離底邊斬波電路合成作為基本的電路結構，輸出穩定的電流用以滿(mǎn)足LED工作的需要。同時(shí)設計保護電路來(lái)保護負載。實(shí)驗結果表明，控制器芯片能穩定工作，并且可以實(shí)現27 V的恒壓輸出和350 mA的恒流輸出。
- 關(guān)鍵字： 電解電容 驅動(dòng)電路 恒流 損耗 保護電路
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