常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹

如果向柵極施加正偏置，在p區中的少數載流子(電子)就被吸引到柵極板下面的表面。隨著(zhù)偏置電壓的增加，越來(lái)越多的電子被禁閉在這塊小空間之中，本地的“少子”集中比空穴(p)集中還要多，從而出現“反轉”(意味著(zhù)柵極下面的材料立即從p型變成n型)?，F在，在把源極連接到漏極的柵結構的下面的p型材料中形成了n“溝道”;電流可以流過(guò)。就像在JFET(盡管物理現象不同)中的情形一樣，柵極(依靠其電壓偏置)控制源極和漏極之間的電流。

圖2:MOSFET結構和符號

MOSFET制造商很多，幾乎每一家制造商都有其工藝優(yōu)化和商標。IR是HEXFET先鋒，摩托羅拉構建了TMOS,Ixys制成了HiPerFET和MegaMOS,西門(mén)子擁有SIPMOS家族的功率三極管，而Advanced Power Technology擁有Power MOS IV技術(shù)，不一而足。不論工藝被稱(chēng)為VMOS、TMOS或DMOS,它都具有水平的柵結構且電流垂直流過(guò)柵極。

功率MOSFET的特別之處在于：包含像圖2中并行連接所描述的那樣的多個(gè)“單元”的結構。具有相同RDS(on)電阻的MOSFET并聯(lián)，其等效電阻為一個(gè)MOSFET單元的RDS(on)的1/n.裸片面積越大，其導通電阻就越低，但是，與此同時(shí)，寄生電容就越大，因此，其開(kāi)關(guān)性能就越差。

如果一切都是如此嚴格成正比且可以預測的話(huà)，有什么改進(jìn)的辦法嗎?是的，其思路就是最小化(調低)基本單元的面積，這樣在相同的占位空間中可以集成更多的單元，從而使RDS(on)下降，并維持電容不變。為了成功地改良每一代MOSFET產(chǎn)品，有必要持續地進(jìn)行技術(shù)改良并改進(jìn)晶體圓制造工藝(更出色的線(xiàn)蝕刻、更好的受控灌注等等)。

但是，持續不斷地努力開(kāi)發(fā)更好的工藝技術(shù)不是改良MOSFET的唯一途徑;概念設計的變革可能會(huì )極大地提高性能。這樣的突破就是飛利浦去年11月宣布：開(kāi)發(fā)成功TrenchMOS工藝。其柵結構不是與裸片表面平行，現在是構建在溝道之中，垂直于表面，因此，占用的空間較少并且使電流的流動(dòng)真正是垂直的(見(jiàn)圖3)。在RDS(on)相同的情況下，飛利浦的三極管把面積減少了50%;或者，在相同的電流處理能力下，把面積減少了35%.

圖3:Trench MOS結構

我們把MOSFET與更為著(zhù)名、更為常用的雙極型三極管進(jìn)行了比較，我們看到MOSFET比BJT所具備的主要優(yōu)勢，我們現在也意識到一些折衷。最重要的結論在于：整個(gè)電路的效率是由具體應用決定的;工程師要在所有的工作條件下仔細地評估傳導和開(kāi)關(guān)損耗的平衡，然后，決定所要使用的器件是常規的雙極型、MOSFET或可能是IGBT?