安森美半導體推出11個(gè)新型低飽和電壓BJT，采用SOT-23、SOT-563、 WDFN和ChipFET 封裝，擴展標準元件系列

2006年10月30日 － 全球領(lǐng)先的電源管理解決方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號：ONNN）宣布，進(jìn)一步拓展其在業(yè)內領(lǐng)先的低飽和電壓(Vce(sat))雙極結晶體管（BJT）產(chǎn)品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封裝。這些備有多種封裝選擇的新器件采用先進(jìn)硅技術(shù)，與傳統BJT或者平板MOSFET相比，其電源效率更佳，電池壽命更長(cháng)。這些新器件是各種便攜式應用的理想選擇。 

安森美半導體分立產(chǎn)品部總經(jīng)理Mamoon Rashid說(shuō)：“安森美半導體將持續拓展便攜式產(chǎn)品系列，從而使設計更靈活，并實(shí)現最佳的節能。我們的BJT在同類(lèi)產(chǎn)品中脫穎而出，在業(yè)內是電源功耗最少且熱性能最佳。我們已將該系列擴展到20個(gè)以上的產(chǎn)品，在目前市場(chǎng)上高性能BJT方面為設計工程師提供最多的選擇。

新型低Vce(sat)表面貼裝器件是特別針對低電壓，高速轉換應用設計而成，其中電源效率控制至關(guān)重要。其特征為超低Vce(sat)—1安培下45毫伏（mV） – 和高電流增益。它們具有       >8,000伏 （V）的出色靜電放電 （ESD）耐受性，可以在發(fā)生意外浪涌和損害的情況下進(jìn)行自我保護。其電性能優(yōu)越和溫度系數低，提高了電源效率，并最終提高了電池電力保持能力。

SOT-23是業(yè)內最受歡迎的封裝之一，且價(jià)格最低。SOT-563是最小的新型BJT封裝(1.6 mm x  1.6 mm x 1.0 mm)。 兩種WDFN封裝為2.0 mm x 2.0 mm，并且高度低，為0.7 mm，是目前市場(chǎng)上便攜式應用中的熱效率最好的。3.0 mm x 2.0 mm x 1.0 mm的ChipFET的整體性能最佳。 

這些器件理想應用于電源管理、電池充電、低壓降穩壓、振動(dòng)馬達、LED背光、磁盤(pán)驅動(dòng)控制、照相機閃光燈以及低降壓/升壓轉換器。

封裝及定價(jià)
完整的低Vce(sat) BJT系列備有多種行業(yè)領(lǐng)先的封裝，包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74和TSOP-6。每10,000片的批量單價(jià)由0.18到0.40美元不等。

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關(guān)于安森美半導體（ON Semiconductor）
安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò )和強大的電源半導體器件系列，是計算機、手機、便攜設備、汽車(chē)和工業(yè)等市場(chǎng)應用的工程師、采購人員、分銷(xiāo)商、及電子代工制造商之首選電源方案供應商。欲查詢(xún)公司詳情，請瀏覽安森美半導體網(wǎng)站：http://www.onsemi.com.cn。