高性能32位內核與基于微控制器存儲架構的集成
32位內核——工作頻率
新內核的最高工作時(shí)鐘頻率為120MHz,是被替代的16位內核速度的六倍。
32位內核——指令存儲器接口
指令存儲系統接口有一個(gè)32位寬的數據總線(xiàn),以及一個(gè)總共地址空間為1MB的20位寬的地址總線(xiàn)。盡管 32位內核具備更大的地址空間,而這足夠滿(mǎn)足這個(gè)MCU的目標應用空間。標準的控制信號同樣具備為緩慢的存儲器件插入等待狀態(tài)的能力。
該設計的閃存器件與16位設計采用的技術(shù)一樣,最高運行速度達20 MHz。
32 位內核——數據存儲器接口
系統 SRAM 和存儲器映射外設都通過(guò)系統控制器與處理器數據總線(xiàn)相連。系統控制器可提供額外的地址解碼及其他控制功能,幫助處理器內核正確訪(fǎng)問(wèn)數據存儲器或存儲器映射外設,而無(wú)需處理特定的等待狀態(tài)、不同的數據寬度或每個(gè)映射到數據存儲空間的器件的其他特殊需求。
系統控制器和處理器內核之間的數據總線(xiàn)為 32 位寬,與系統控制器和SRAM 間的數據總線(xiàn)寬度相同。系統控制器和外設以及 GPIO 端口間的數據總線(xiàn)寬度可為 8 位、16 位或 32 位,視需求而定。
目標設計采用的 SRAM 與 16 位設計采用的類(lèi)型相同,在 120 MHz時(shí)可實(shí)現 0 等待狀態(tài)操作。
初步分析
目前系統的性能由幾個(gè)因素控制。處理器內核與閃存器件速度的差異可極大地影響性能,因為至少有五個(gè)等待狀態(tài)必須添加到每個(gè)指令提取中。根據粗粒經(jīng)驗法則,至少每十個(gè)指令有一個(gè)讀取或存儲。每條指令加權平均周期(CPI)的典型順序為:
CPI = (9 inst * 6 閃存周期 + 1 inst *1 SRAM周期) / 10 指令
CPI = 5.5
內核的吞吐量由閃存接口的速度決定,因此以前所有的32位內核都是數據通道寬度的兩倍。
在這種情況下,SRAM接口無(wú)關(guān)緊要。雖然某些問(wèn)題很有可能源于存儲接口方面,如中斷延遲和原子位處理,SRAM存儲器的零等待狀態(tài)操作可以忽略。關(guān)注的重點(diǎn)是通過(guò)采用目前可用的、具有成本效益的技術(shù),來(lái)提高指令存儲接口的性能。
提高CPU內核性能——閃存接口
來(lái)自高性能計算環(huán)境的一個(gè)通用概念是高速緩存,在主要存儲器件和處理器內核之間采用更小及更快的內存存儲,可以實(shí)現突發(fā)數據或程序指令的更快訪(fǎng)問(wèn)。
設計和實(shí)現高速緩存可能非常復雜——需要考慮高速緩存標記、N-Way級聯(lián)和普通高速緩存控制等問(wèn)題——僅關(guān)注程序指令存儲器可讓這項工作變得非常簡(jiǎn)單。這是因為對此特定的 32 位內核來(lái)說(shuō),對程序存儲器的訪(fǎng)問(wèn)是一個(gè)嚴格的只讀操作。在這種情況下,我們只需考慮一個(gè)方向的數據流可以減少緩沖器和高速緩存系統的復雜性。
預取緩沖器
增加閃存接口總體帶寬的一個(gè)簡(jiǎn)單方法是擴展處理器和閃存器件間的通道寬度。假定閃存的速度一定,增加帶寬的另外一個(gè)方法是擴展接口寬度,以實(shí)現一次提取更多指令,創(chuàng )造一個(gè)更為快速的閃存接口外觀(guān)。
這是預取緩沖器的一個(gè)基本前提。它利用了連接閃存的更寬接口的優(yōu)勢,可在同樣的時(shí)鐘周期數內讀取更大的數據量,這通常只要花閃存讀一個(gè)字的時(shí)間。
因此,預取緩沖器還定義了新數據通道的最小尺寸,原因顯而易見(jiàn)。
圖2.1顯示了我們的120 MHz內核連接到20 MHz閃存陣列的情況。采用兩個(gè)系統間的速度比作為起始值,我們可以確定預取緩沖器、閃存接口讀取的寬度,假設我們需要在無(wú)需等待狀態(tài)的情況下讀取指令。

圖2.1 指令預取
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