美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓 可制造軍用設備

　　據中國國防科技信息網(wǎng)報道，美國射頻微系統公司(RFMD)日前推出世界首個(gè)用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿(mǎn)足軍用和商用需求。該公司實(shí)現了從現有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉變，以降低成本滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的氮化鎵器件市場(chǎng)需求。

　　RFMD公司總裁兼首席執行官鮑勃稱(chēng)：“我們很高興在RFMD公司的現有高產(chǎn)量6寸砷化鎵生產(chǎn)線(xiàn)上推出業(yè)界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術(shù)。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠(chǎng)”策略的一部分，以使現存生產(chǎn)能力通過(guò)制造創(chuàng )新型氮化鎵基產(chǎn)品抓住增長(cháng)機會(huì )。”

　　根據行業(yè)分析公司--策略數據公司的數據，2017年氮化鎵微電子市場(chǎng)將是現在的三倍，達到3.34億美元，年復合增長(cháng)率(CAGR)達到28%。該市場(chǎng)由軍用(雷達、電子戰、通信)和商用(電源管理、蜂窩通信、有限電視、移動(dòng)式無(wú)線(xiàn)電通信)共同推動(dòng)。

　　RFMD公司功率寬帶部門(mén)副總裁杰夫博士稱(chēng)：“利用我們在6寸砷化鎵制造技術(shù)的領(lǐng)先地位和高產(chǎn)量的專(zhuān)業(yè)知識，RFMD公司有能力增加6寸氮化鎵制造能力，來(lái)推出新的射頻功率產(chǎn)品，以此加速我們在通信、有線(xiàn)電視、能量轉換、雷達、干擾、宇航和代工業(yè)務(wù)中的利潤增長(cháng)。”

　　氮化鎵技術(shù)可在有限芯片體積內支持寬頻帶和高擊穿電壓。6寸氮化鎵晶圓所能提供的有效面積是4寸氮化鎵晶圓的2.5倍，因此每個(gè)晶圓所產(chǎn)出的射頻功率器件數也增加2.5倍。晶圓面積越大，由此帶來(lái)的每個(gè)芯片成本更低，是為軍用和商用提供廉價(jià)、高性能單片毫米波集成電路(MMIC)的關(guān)鍵。RFMD公司預計在2014年將完成對6寸氮化鎵平臺的驗證。