LED芯片/器件封裝缺陷的非接觸檢測技術(shù)

4.2.3引線(xiàn)焊接質(zhì)量影響的模擬實(shí)驗結果
在圖2所示的等效電路中,Rs2與負載RL是串聯(lián)的,由于電極的電阻以及電極和結之間的接觸電阻Rs2很難直接測量,因此實(shí)驗中通過(guò)串聯(lián)不同的負載電阻RL來(lái)模擬接觸電阻Rs對檢測結果造成的影響,其試驗結果如圖6所示。由圖6可知,隨著(zhù)外加負載RL的增大,流過(guò)負載的電流越來(lái)越小。實(shí)驗與理論都表明,接觸電阻Rs的微小變化會(huì )使支架上流過(guò)的電流IL1產(chǎn)生很大的改變。對于功能完好的LED芯片,通過(guò)測量支架上流過(guò)的光生電流IL1可以計算得到LED的串聯(lián)電阻Rs。若串聯(lián)電阻值無(wú)窮大,則芯片與電極之間可能出現了銀膠脫膠、漏焊或者焊絲斷裂問(wèn)題,若串聯(lián)電阻與正常連接狀態(tài)下的串聯(lián)電阻有大的差異,則芯片與電極之間可能出現了其它的焊接問(wèn)題,如虛焊、重復焊接等。因此,通過(guò)分析支架上流過(guò)的光生電流值,可以檢測LED封裝過(guò)程中芯片與引線(xiàn)支架之間的電氣連接狀態(tài)。

5、結論
由于我國LED封裝產(chǎn)量十分巨大,因此在大批量封裝生產(chǎn)線(xiàn)上對LED的封裝質(zhì)量進(jìn)行實(shí)時(shí)在線(xiàn)檢測,能夠替代有效改善目前大批量的封裝生產(chǎn)企業(yè)采用的人工肉眼檢查落后現狀、有效降低次品/廢品率。為此,充分利用LED具有與PD類(lèi)似的光伏效應的特點(diǎn)、以及所建立的LED芯片/器件封裝質(zhì)量與光電流之間的關(guān)系,搭建了LED封裝質(zhì)量非接觸檢測實(shí)驗平臺,并通過(guò)模擬實(shí)驗證明了芯片差異、固晶質(zhì)量、焊接質(zhì)量的影響都可以通過(guò)檢測儀輸出信號的特征體現出來(lái),而且檢測的離散度小于10-6,檢測速度可達100只/秒。在此基礎上,還開(kāi)發(fā)出了圖7所示實(shí)際檢測樣機[7],并正在進(jìn)行實(shí)際檢測樣機與封裝生產(chǎn)線(xiàn)的系統集成,以及LED參數的進(jìn)一步的量化研究。
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