智能手機的高性能、小封裝邏輯電平轉換方案

　　安森美半導體帶推挽輸出的自動(dòng)感測雙向轉換器，如NLSX4014，有其輸入驅動(dòng)電流要求。假定I/O電源電壓VL(A點(diǎn))=0 V，并要正轉換至2.8 V(即由低電平轉換為高電平)，最初A點(diǎn)=B點(diǎn)=0 V，IIN1流入CMOS器件，因此，IIN » IIN2，峰值電流IIN » 2.8 V/1 kΩ = 2.8 mA。這種轉換器設計用于驅動(dòng)CMOS輸入，不應使用阻值低于50 kΩ的阻性上拉或下拉負載 (見(jiàn)圖3)。此外，在大電容負載中，不應當使用推挽型自動(dòng)感測雙向轉換器，否則輸出失真會(huì )較大，而應當使用開(kāi)關(guān)(switch)類(lèi)型的電平轉換器。

　　此外，安森美半導體的這些雙電源電平轉換器采用小巧強固的封裝，如ULLGA6、UDFN6、UDFN8、UQFN12、UDFN20、uBump11、uBump12和uBump20等，其中UDFN6封裝的尺寸僅為1.2 mm×1.0 mm，uBump12封裝尺寸僅為1.54 mm×2.02 mm。這些小巧強固的封裝非常適合用于智能手機等便攜應用。

　　安森美半導體完備的邏輯電平轉換器陣容

　　安森美半導體身為全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應商，推出完備陣容的極佳邏輯電平轉換方案，如雙電源轉換器、帶OVT的MiniGateTM系列開(kāi)關(guān)、MiniGateTM總線(xiàn)開(kāi)關(guān)等。
其中，雙電源電壓邏輯電平轉換器支持寬范圍的高至低和低至高電平轉換，并支持單向及雙向信號流，功耗低，采用超小型封裝。帶OVT的MiniGateTM用于滿(mǎn)足寬范圍的高至低電平轉換及單向信號流應用需求，是標準元件，采用標準及超小封裝，成本低。另外，安森美半導體的MiniGateTM總線(xiàn)開(kāi)關(guān)即將推出，用于滿(mǎn)足高速(帶寬高于500 MHz)及高至低電平轉換應用需求，支持雙向信號流及單向轉換，采用標準封裝及超小封裝，成本低。這些器件用于滿(mǎn)足客戶(hù)的不同需求。圖4顯示了安森美半導體不同邏輯電平轉換方案在手機中的應用。

　　總結：

　　安森美半導體身為全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應商，為智能手機等便攜應用推出完備系列的邏輯電平轉換器，包括各種雙電源電壓邏輯電平轉換器、帶過(guò)壓容限的MiniGateTM系列開(kāi)關(guān)及高速應用的MiniGateTM總線(xiàn)開(kāi)關(guān)等。以雙電源電壓邏輯電平轉換為例，安森美半導體的這些器件提供比競爭器件更優(yōu)異的規范，如更寬的轉換電壓范圍、更低的靜態(tài)功耗及支持更高的數據率等。安森美半導體的這些邏輯轉換器件除了提供一流的性能，還提供不同配置及位寬，并采用小巧強固的封裝，非常適合便攜應用的各種邏輯電平轉換需求。