能使導通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案

只要運算放大器的共模范圍包括地，那么此電路就不需要負電源。

幾何感應比例n為：

其中，RDM(on)是感應FET導通電阻，等于主FET導通電阻減去源引線(xiàn)電阻。

附加的感應電阻器增加有效感應比例，因此該值變?yōu)閚，計算公式為：

值得注意的是，感應信號包含開(kāi)關(guān)時(shí)的錯誤峰值。這些錯誤峰值的起因是線(xiàn)性和完全增強的工作區域中的電流比例的差別，而且與電路有關(guān)。公式2表明，此電路中有兩大誤差源：

制造過(guò)程中n固有的誤差;

與主FET和感應FET的溫度有關(guān)。在25°C和150°C之間，功率MOSFET開(kāi)啟時(shí)的導通電阻大約增加一倍。

另一方面，感應電阻器與溫度無(wú)關(guān)。因此可以看出，采用此方法時(shí)，1. 感應比例與溫度有關(guān);2. 其誤差大于采用虛擬接地電路的誤差。

封裝方式

談?wù)?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/MOSFET">MOSFET時(shí)不能不探討封裝方式，這對于汽車(chē)應用來(lái)說(shuō)尤其重要。盡管D2PAK是采用TrenchPLUS器件的原始封裝，但現在有了體積更小、熱效率更高的封裝形式。

飛利浦的SOT669 LFPAK可以從SO8的緊湊封裝面積中提供更高的散熱性能。其內部結構克服了SO8的限制。其熱阻可以與比其更大的封裝相提并論，這有助于維持盡可能低的操作溫度。LFPAK外形非常小巧——厚度僅為1.1mm，比SO8薄40%。這種創(chuàng )新的內部結構使其電感遠遠低于其它封裝。

40V HPA LFPAK封裝具有SO8體積小巧的優(yōu)勢，同時(shí)有更大封裝(如DPAK)所具有的卓越熱性能。在傳統的功率封裝中，主要的散熱路徑是從裝配點(diǎn)垂直向下并進(jìn)入PCB。但是，LFPAK還通過(guò)源導線(xiàn)向上和向外傳導大量熱量，使其熱阻遠遠低于SO8，甚至可以與大得多的封裝(如DPAK和D2PAK)相比。

本文小結

汽車(chē)電子設計工程師在其powerMOS設計中采用附加的傳感器有諸多好處。通過(guò)獲取有關(guān)芯片本地溫度/電流的信息，設計人員可以節約空間并降低系統成本。并可以在實(shí)現這一目標的同時(shí)，推進(jìn)設計的范圍。通常情況下需要在成本和性能間進(jìn)行折衷，而采用這種器件則無(wú)需這種考慮。

這種器件填補了簡(jiǎn)易MOS和完全保護器件之間的空白，非常適合于各種應用，包括從汽車(chē)環(huán)境中的電動(dòng)輔助轉向(EPAS)系統到主板的DC/DC轉換器。