ClearNAND閃存改善系統設計

　　增強型ClearNAND閃存

　　圖4所示為增強型ClearNAND閃存的架構。它支持1個(gè)ONFI 2.2接口和速度高達200MT/s的指令、地址和數據總線(xiàn)。VDDI去耦電容常見(jiàn)于e?MMC產(chǎn)品和內含控制器的其它閃存，用于對內部穩壓器進(jìn)行去耦。為向后兼容傳統NAND閃存，VDDI連接放置在一個(gè)閑置引腳上。ClearNAND控制器支持兩條內部閃存總線(xiàn)，其中一條用于連接偶數編號的邏輯單元(LUN)，另一條則連接奇數編號的邏輯單元。這兩條獨立閃存總線(xiàn)的速度高達200MT/s。此外，每條總線(xiàn)都配有各自的ECC引擎，可在兩條總線(xiàn)上同時(shí)管理讀操作或寫(xiě)操作?？梢灶A見(jiàn)，未來(lái)的控制器還將支持面向400MT/s的ONFI 3接口規范。

　　下面將討論增強型ClearNAND提供的四項高級功能：卷尋址、電子數據映像、中斷功能和內部回寫(xiě)(copyback)。

　　卷尋址

　　卷尋址允許一個(gè)片選或芯片啟動(dòng)信號(CE#)對16個(gè)ClearNAND卷進(jìn)行尋址。每個(gè) ClearNAND控制器支持在一個(gè)MCP封裝內堆疊8個(gè)裸片。ClearNAND控制器為主處理器或SSD控制器存取操作提供一個(gè)緩沖區。

　　如圖5所示，增強型ClearNAND設計將存儲容量擴大八倍，同時(shí)保持或提升了信號完整性，并減少了所需的有效芯片使能數量。這是因為對于SSD控制器，一個(gè)ClearNAND控制器僅代表一個(gè)負載，但是在一個(gè)MCP封裝內最多可支持八個(gè)NAND裸片。