降低手機射頻功率放大器的功耗及提升效率的方法
如圖1所示為可見(jiàn),SiGe技術(shù)在射頻器件上的應用已經(jīng)跟RF CMOS技術(shù)相當,有理由相信,下一步目標就是超越GaAs技術(shù)而占據主流。

本文總結
隨著(zhù)多種無(wú)線(xiàn)通信標準在手持設備上的應用,只有進(jìn)一步降低射頻功率放大器的功耗,才能延長(cháng)便攜式設備的電池使用時(shí)間,從而獲得更加的用戶(hù)體驗。本文通過(guò)對射頻功率放大器所采用的三種主要工藝技術(shù)進(jìn)行的簡(jiǎn)要比較,指出未來(lái)的發(fā)展趨勢在于采用SiGe工藝技術(shù)來(lái)制造射頻功率放大器,這是無(wú)線(xiàn)電電子系統設計工程師需要關(guān)注的技術(shù)趨勢。
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