中國成為富士通FRAM最大市場(chǎng)，電表工控汽車(chē)等領(lǐng)域全面開(kāi)花

　　近五年之內，一些新型的非易失性存儲器技術(shù)如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現，但達到出色市場(chǎng)量產(chǎn)業(yè)績(jì)的只有 FRAM。那么現如今FRAM在中國的應用進(jìn)展如何?在哪些更多的應用領(lǐng)域正在取代傳統的EEPROM、SRAM和閃存和閃存呢?

　　在日前于上海、北京、深圳三地巡回舉辦的2013富士通半導體MCU/FRAM鐵電存儲器技術(shù)研討會(huì )上，來(lái)自日本的華裔存儲器專(zhuān)家、富士通半導體系統存儲器事業(yè)部市場(chǎng)部產(chǎn)品高級經(jīng)理馮逸新在演講開(kāi)場(chǎng)白中即提到：“我16年前留學(xué)日本并一直工作生活在那里，這十幾年我深刻地感受到了中國經(jīng)濟的巨大變化，比如中國已超過(guò)日本成為第二大經(jīng)濟實(shí)體，不久將趕上美國，而中國也已成為日本的第一大經(jīng)濟伙伴，中國也已成為富士通集團全球最大的市場(chǎng)，而富士通FRAM鐵電存儲器的最大市場(chǎng)也是在中國!”　　

?　　有數據顯示，從1999截至2013年6月，富士通的FRAM鐵電存儲器產(chǎn)品累計交貨已達23億片，而具有非易失性、低功耗 、高速燒寫(xiě) 、高讀寫(xiě)耐久性(一萬(wàn)億次以上)、隨機存取等正是FRAM脫穎而出的競爭優(yōu)勢。

　　與傳統的非易失性存儲器如EEPROM相比，富士通FRAM的優(yōu)勢主要體現在高速燒寫(xiě)(40,000 倍)、高耐久性(1,000,000 倍 )和低功耗(1/1,000 )等方面。高速燒寫(xiě)可確保實(shí)時(shí)存儲，可幫助系統設計者解決實(shí)時(shí)存儲數據和幫助系統設計者解決了突然斷電數據丟失的問(wèn)題;高耐久性的特點(diǎn)，可以實(shí)現頻繁記錄操作歷史和系統狀態(tài);低功耗主要指寫(xiě)入時(shí)不需要高電壓。 這些優(yōu)勢使得FRAM越來(lái)越多地被需要高可靠性的應用領(lǐng)域所采用，比如計量?jì)x表(三相電表以及水表、氣表等)、電力自動(dòng)化、醫療器械及醫療電子標簽、汽車(chē)后裝設備、POS機/金融A(yíng)TM機等等。

　　馮逸新在演講中表示：“FRAM從性能和實(shí)用性、量產(chǎn)經(jīng)驗等幾個(gè)方面都是在新型非易性失存儲器領(lǐng)域占絕對優(yōu)勢地位的。當您在FRAM、MRAM、ReRAM、nvSRAM 、PRAM之間猶豫的時(shí)候，我非常自信地推薦大家采用FRAM?！?/p>