三星電子：強化大容量存儲器的產(chǎn)品競爭力

　　4月11日，三星電子表示，從上個(gè)月開(kāi)始，已全面量產(chǎn)高性能10nm級(1nm為10億分之1m)128Gb閃存。128Gb 3bit MLC閃存是目前儲存半導體中容量最大的產(chǎn)品，三星電子通過(guò)量產(chǎn)128Gb 3bit MLC閃存，將全面擴大大容量?jì)却婕癝SD市場(chǎng)，并快速推進(jìn)64Gb MLC市場(chǎng)的升級。

　　自去年11月初，三星電子便開(kāi)始大批量生產(chǎn)10nm級超高速64Gb MLC閃存;不到5個(gè)月，在容量上擴大至兩倍的10nm級128Gb閃存產(chǎn)品又得以量產(chǎn)，三星電子此舉進(jìn)一步鞏固了自身在eMMC，SSD等業(yè)內最大的大容量?jì)却骊嚑I(yíng)的地位。

　　128Gb閃存是業(yè)內最高水平的大容量高性能閃存產(chǎn)品，它采用了以10nm級3bit MLC為基礎的Toggle DDR 2.0高速用戶(hù)界面，(*Toggle2.0：相比普通閃存速度加倍的超高速閃存規格)即使與20nm級64Gb MLC閃存相比，10nm級128Gb 3bit 閃存產(chǎn)品的生產(chǎn)率也提高了2倍以上。

　　2010年，三星電子就已在世界上首次大批量生產(chǎn)了20nm級64Gb 3bit MLC閃存產(chǎn)品，隨后搭載去年9月推出的840 SSD系列產(chǎn)品，大幅擴大了250GB以上的大容量SSD市場(chǎng)，并進(jìn)一步加快了大容量?jì)却鎯κ袌?chǎng)從20nm級64Gb MLC升級到64Gb 3bit的進(jìn)程。

　　今年，128Gb 3bit MLC閃存產(chǎn)品不僅將確保擴大128GB內存市場(chǎng)(能夠保存8GB FULL HD 16篇)，而且很有希望全面擴大能轉變HDD(Hard Disk Drive)市場(chǎng)500 GB以上的大容量 SSD市場(chǎng)，并同時(shí)推進(jìn)SSD大眾化時(shí)代的提早到來(lái)。

　　三星電子存儲器事業(yè)部戰略營(yíng)銷(xiāo)部全永鉉副社長(cháng)表示，“通過(guò)此次高性能128Gb 閃存的量產(chǎn)，將持續強化三星產(chǎn)品在大容量存儲器市場(chǎng)上的產(chǎn)品競爭力。未來(lái)，我們將適時(shí)推出新一代更高品質(zhì)的存儲產(chǎn)品，積極應對全球客戶(hù)日益增長(cháng)的存儲產(chǎn)品需求。”

　　未來(lái)，三星電子將領(lǐng)先推出新一代以3bit MLC閃存為基礎的大容量SSD以及內置存儲設備和差別化的解決方案，從而持續保持技術(shù)競爭力的優(yōu)勢，并主導高端存儲市場(chǎng)的成長(cháng)趨勢。