英飛凌推出新一代DrMOS器件DrBlade

　　英飛凌科技股份公司 (FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY)近日在2013應用電力電子會(huì )議暨展覽會(huì )(APEC)中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng )新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件，它集成了DC/DC 驅動(dòng)器及MOSFET VR功率級。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅動(dòng)器技術(shù)及OptiMOS™ MOSFET器件。該MOSFET 技術(shù)擁有最低的單位面積導通阻抗及針對應用優(yōu)化的品質(zhì)因數，能達到最高的DC/DC調壓系統效率，適用于計算及電信應用，包括刀片服務(wù)器和機架服務(wù)器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/143600.htm

 

　　全新Blade封裝技術(shù)

　　英飛凌創(chuàng )新的Blade封裝技術(shù)，采用芯片嵌入概念，使用電鍍制程取代標準的封裝制程，例如邦線(xiàn)、夾焊以及常見(jiàn)的模制技術(shù)。此外，芯片也以疊層薄片進(jìn)行保護。其結果是大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感，同時(shí)還降低熱阻。

　　英飛凌低壓功率轉換產(chǎn)品資深總監Richard Kuncic表示：“英飛凌是業(yè)界第一家推出采用Blade技術(shù)的集成了驅動(dòng)器及MOSFET半橋的半導體公司。DrBlade的推出可提升服務(wù)器應用在全負載范圍的效率，再度證明我們在功率半導體領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。”

　　節省空間，提高效率

　　DrBlade封裝面積為5x5mm，高度僅為0.5mm，可滿(mǎn)足計算系統對于更高功率密度及節省空間的需求。DrBlade擁有優(yōu)化的引腳規劃，可簡(jiǎn)化PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封裝技術(shù)，再結合英飛凌的OptiMOS MOSFET，這使DrBlade成為低壓市場(chǎng)的最佳穩壓解決方案。

　　上市時(shí)間與定價(jià)

　　DrBlade樣品已開(kāi)始提供，并于2013年第二季度量產(chǎn)。