Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費在線(xiàn)仿真工具

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK^® 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費在線(xiàn)熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線(xiàn)，功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關(guān)鍵特性，比如裸片溫度對功率耗散的時(shí)間縮放功能，定義更多的真實(shí)條件以提高仿真精度和設計靈活性，減輕對用戶(hù)使用經(jīng)驗的要求?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/142769.htm

 　　其他熱仿真工具只能進(jìn)行封裝級的仿真，而ThermaSim使用有限元分析(FEA)技術(shù)來(lái)提高精度。這款免費在線(xiàn)工具在高電流、高溫應用中特別有用，例如汽車(chē)、固網(wǎng)通信、桌面和筆記本電腦，以及工業(yè)系統。最新版本的仿真工具還非常適合裕量小的設計，以及會(huì )受UIS(未鉗位的電感開(kāi)關(guān))和汽車(chē)拋負載等瞬態(tài)情況影響的應用。

　　ThermaSim可幫助設計者在產(chǎn)品原型前對Vishay Siliconix的功率MOSFET、IC和DrMOS產(chǎn)品進(jìn)行詳盡的熱仿真，從而縮短上市時(shí)間。對于高可信設計，ThermaSim 3.0在很多方面提供了大量新的和改進(jìn)的功能，并包括以下內容：

　　瞬態(tài)熱仿真(僅對MOSFET)：

　　對仿真的功率耗散數據進(jìn)行時(shí)間縮放(最大1000級)，提高設計可靠性。這種方法可以在仿真曲線(xiàn)的時(shí)間段上的多個(gè)位置進(jìn)行縮放，對高功率脈沖(kW級)及持續時(shí)間短(≥1ns)的情況特別有用。此外，工具能夠以最初MOSFET裸片面積的10%、15%或25%作為散熱區，以便對低柵極驅動(dòng)和漏源電壓尖峰等情況進(jìn)行更好的分析。

　　改善用戶(hù)體驗：

　　為節省時(shí)間和消除可能的數據錄入錯誤，ThermaSim 3.0允許用戶(hù)上傳Excel^®格式的功率曲線(xiàn)數據包，可根據需要的次數反復上傳數據包，當需要的時(shí)候用戶(hù)之間可交換仿真結果和整個(gè)設計的副本。另外，強大的工具用圖形顯示的方式在PCB上擺放元器件。

　　根據“真實(shí)條件”進(jìn)行仿真：

　　用戶(hù)甚至可以定義更多的條件，包括在頂層和底層PCB板上的銅擴散，焊錫厚度，焊點(diǎn)質(zhì)量，氣隙，膠/隔離層的厚度，以及在PCB上或PCB外的導線(xiàn)端接。

　　高效仿真：

　　異步重新加載和web接口(Ajax)，以及負載均衡和高網(wǎng)格解析度，能更快得到仿真結果。