富士通率先在中國引入28nm SoC設計服務(wù)和量產(chǎn)經(jīng)驗
通信、消費、高性能計算領(lǐng)域的成功案例
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/139951.htm事實(shí)勝于雄辯,劉哲通過(guò)3個(gè)典型的客戶(hù)案例展現了富士通半導體在高端工藝設計上的技術(shù)實(shí)力。這3個(gè)例子分別屬于三個(gè)不同的領(lǐng)域:通信、消費電子、高性能計算,并且均已實(shí)現量產(chǎn)。而這三個(gè)領(lǐng)域都是富士通半導體的傳統優(yōu)勢領(lǐng)域。
富士通半導體是目前100G波分復用網(wǎng)絡(luò )的主要芯片設計方案提供者,是推動(dòng)100G網(wǎng)絡(luò )商用的重要力量。劉哲舉第一個(gè)例子就是富士通半導體的一個(gè)基于標準CMOS技術(shù),使用TSMC 40nm工藝的,世界上最快的56G?65Gsps ADC IP。據悉,此IP為光網(wǎng)絡(luò )傳輸中100G波分復用網(wǎng)絡(luò )的核心,已被國內外領(lǐng)先光通信廠(chǎng)商所采用并量產(chǎn),它的使用使得世界范圍內的100G傳送網(wǎng)比預期提前兩年實(shí)現商用?! ?/p>

圖7:世界上最快的56G?65Gsps ADC IP。
特別值得一提的是獨特的金質(zhì)底盤(pán)封裝(圖7)。之所以要采用這樣獨特的封裝,是因為類(lèi)似這樣的通信網(wǎng)絡(luò )可能有億萬(wàn)門(mén)的邏輯,不論是從設計規模還是功耗都很具有挑戰,所以不只對芯片本身的設計有要求,對芯片封裝的設計也有非常高的要求。金質(zhì)底盤(pán)是富士通半導體特別針對高功耗的芯片而特別設計的,此金質(zhì)底盤(pán)的Substrate有19層,這是業(yè)界非常領(lǐng)先的技術(shù),也是富士通半導體所獨有的。
第二個(gè)例子是世界上第一個(gè)采用28nm HPL(高性能低功耗)工藝的LTE/3G/2G 基帶IC(用于手機) ,來(lái)自排世界TOP3位置的通信廠(chǎng)商。由于特別使用了富士通半導體開(kāi)發(fā)的低功耗methodology,其動(dòng)態(tài)功耗降低了30%。
此外,在設計方面,此基帶LSI還采用了富士通半導體的一系列IP,包括ARM11、DigRFV3、V4、HSIC、USB2.0等等。
第三個(gè)例子是更加典型的28nm應用,即今年中剛發(fā)布的富士通半導體與Oracle合作開(kāi)發(fā)的第10代處理器——SPARC64 X多核多線(xiàn)程處理器,它含有16個(gè)內核,每核雙線(xiàn)程,在TSMC High Performance工藝上開(kāi)發(fā)。面向服務(wù)器等高性能計算領(lǐng)域,處于世界領(lǐng)先地位。的,富士通半導體的SPARC CPU在國際上高性能計算領(lǐng)域很有代表性?! ?/p>

圖8.富士通半導體與Oracle合作開(kāi)發(fā)的高性能處理器SPARC64 X。
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