飛兆40V PowerTrenchMOSFET功率控制更強、效率更高
—— 該器件具有最低的導通電阻和較低的柵極電荷可降低功耗
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時(shí)間：2012-12-06
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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汽車(chē)動(dòng)力轉向系統的設計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench® MOSFET可幫助設計人員應對這些挑戰?！ ?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/139775.htm
FDB9403利用飛兆半導體的屏蔽柵極技術(shù)，改進(jìn)了電阻并降低了電容。 該器件的RDS(ON) 比其最直接競爭對手低20%，并具有較低的Qg值，可降低功耗并最終提高總體效率。 FDB9403 MOSFET作為用于電流控制的基本開(kāi)關(guān)，可有效控制電能而不將其浪費，因此非常適合電動(dòng)助力轉向、懸架控制和傳動(dòng)系管理等應用。
特色及優(yōu)勢：
- RDS(ON)典型值 = 1m?(VGS = 10V，ID = 80A時(shí))，可降低功耗以實(shí)現 更高的效率
- Qg(tot)典型值= 164nC(VGS = 10V，ID = 80A時(shí))，可降低功耗以實(shí)現更高的效率
- UIS能力
- 符合RoHS標準且通過(guò)AEC Q101認證
封裝和定價(jià)信息(1000片起訂，價(jià)格單位：美元)
按請求提供樣品。交貨期：收到訂單后8-12周內
- 采用D2PAK TO-263AB封裝，FDB9403的定價(jià)為2.48美元
飛兆半導體在功率半導體器件和模塊封裝方面的專(zhuān)業(yè)知識，與廣泛的測試、仿真和優(yōu)質(zhì)生產(chǎn)相結合，使其能提供在要求最嚴苛的汽車(chē)環(huán)境中表現可靠的產(chǎn)品。 憑借全球范圍內的設計、制造、裝配和測試設施，設施齊全的飛兆半導體能滿(mǎn)足汽車(chē)制造商對于質(zhì)量、可靠性和供貨的需求。
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