UBM內存拆解：神秘手機驚現PCM

 　　非易失性相變內存(phase-change memory，PCM)已經(jīng)悄悄現身在手機產(chǎn)品中?根據工程顧問(wèn)機構UBM TechInsights的一份拆解分析報告，發(fā)現在某款神秘手機中，有一顆由三星電子(Samsung Electronics)出品的多芯片封裝(multi-chip package，MCP)內存，內含與NOR閃存兼容的非易失性相變內存芯片。

　　TechInsights拆解的手機產(chǎn)品，基于客戶(hù)機密不透露型號與廠(chǎng)牌;該機構表示，要等到與客戶(hù)之間的工作告一段落，才能公布該手機到底是哪一款。三星曾于4月時(shí)透露，該公司將在第二季出貨一款內含512Mbit非易失性相變內存芯片的MCP;當時(shí)三星并未透露該產(chǎn)品將采用哪種制程技術(shù)，僅表示該產(chǎn)品“相當于40納米NOR閃存。”

　　業(yè)界認為三星將采用65納米至60納米制程生產(chǎn)上述內存;而拆解分析報告以顯微鏡所量測出的半間距(half-pitch)內存長(cháng)度(如下圖)，是每微米(micron)8個(gè)記憶單元(cell)，就證實(shí)了以上的猜測。

　　三星512Mbit相變化RAM的橫切面

　　現在已經(jīng)被美光(Mciron)合并的恒憶(Numonyx)，在2008年發(fā)表了一款90納米制程128Mbit非易失性相變內存，并在2010年4月以Omneo系列串行/并列存取內存問(wèn)世;但是到目前為止，該公司都未透露任何有關(guān)該產(chǎn)品的設計案或是量產(chǎn)計劃。此外恒憶也開(kāi)發(fā)了一款45納米制程的1Gbit非易失性相變內存，但這款原本預期今年上市的產(chǎn)品，迄今也未有后續消息。