美開(kāi)發(fā)出無(wú)缺陷半導體納米晶體薄膜

 　　據物理學(xué)家組織網(wǎng)報道，美國麻省理工學(xué)院的研究人員利用電子束光刻技術(shù)和剝離過(guò)程開(kāi)發(fā)出無(wú)缺陷半導體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料，可廣泛應用并開(kāi)辟潛在的重點(diǎn)研究領(lǐng)域。相關(guān)報告發(fā)表在近期出版的《納米快報》雜志網(wǎng)絡(luò )版上。

　　半導體納米晶體的大小決定了它們的電子和光學(xué)性質(zhì)。但想通過(guò)控制納米晶體在表面上的布置，形成具有均勻結構的薄膜卻十分困難。典型的納米晶體薄膜一般都有能限制自身效用的裂縫，使得科研人員無(wú)法測量這些材料的基本特性。

　　此次制成的無(wú)缺陷薄膜的導電率約為傳統方法制成的有裂縫薄膜的180倍?？茖W(xué)家稱(chēng)，這一制造方法還能應用于硅表面，制成30納米寬的薄膜。其訣竅在于使薄膜結構變得均勻，緊貼在二氧化硅基座上。這能通過(guò)在納米晶體層沉積于硅表面之前，將稀薄的聚合物層覆蓋在表面上實(shí)現。據推測，納米晶體表面上細小的有機分子亦能幫助它們與聚合物層相結合。

　　在研究的最初階段，科研人員生產(chǎn)出的納米薄膜能發(fā)出不可見(jiàn)的紅外光。但基于這種系統的工作十分單調，因為每次微調都需要進(jìn)行耗時(shí)頗長(cháng)的電子顯微鏡檢查。而當成功獲取能發(fā)出可見(jiàn)光的半導體納米晶體圖案時(shí)，意味著(zhù)研究團隊能夠大幅加快開(kāi)發(fā)新技術(shù)的速度。即使納米薄膜低于光學(xué)顯微鏡的分辨率限制，納米晶體亦可作為一個(gè)光源，使它們變得可見(jiàn)。

　　研究人員表示，這種納米晶體薄膜可以得到多種應用。因為它們不僅能發(fā)光，也能吸收多種顏色的光。這有助于形成高分辨率顯示器屏幕上的發(fā)光像素，或是制成新類(lèi)型的高效、廣譜太陽(yáng)能電池。同時(shí)，這種材料還可被用于開(kāi)發(fā)針對少量特定生物分子的高敏度探測器，例如作為毒素篩選系統或是醫藥檢測設備等。另外，這種技術(shù)的成功也開(kāi)啟了有關(guān)電子在納米晶體薄膜內如何移動(dòng)的新研究，此前這一直被視為學(xué)界的一大難題。