華潤上華推出高性?xún)r(jià)比0.25微米Scalable BCD工藝平臺

　　華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤上華”)宣布已完成0.25微米Scalable BCD工藝平臺開(kāi)發(fā)，其更低成本和更高的可移植性可滿(mǎn)足客戶(hù)多樣化的產(chǎn)品設計需求，進(jìn)一步提高了華潤上華BCD系列工藝平臺的技術(shù)優(yōu)勢。

　　華潤上華的0.25微米Scalable BCD工藝平臺為0.5微米前段制程與0.25微米后段制程，由之前0.25微米24V BCD工藝平臺延伸而來(lái)，核心器件工作電壓為5V，提供DMOS工作電壓為12V至45V的高壓器件與功率器件，其擊穿電壓由20V延伸到80V。該工藝廣泛應用于DC-DC電源轉換、LED照明驅動(dòng)及LED背光驅動(dòng)IC。

　　該工藝后段采用鋁制程，最多可支持5層鋁連線(xiàn)，具有低Rdson的優(yōu)秀性能表現，提供多種優(yōu)化的器件結構，以幫助客戶(hù)提升成本效益的設計優(yōu)勢。與華潤上華的0.25微米24V BCD工藝相比，0.25微米Scalable BCD工藝平可以將芯片DMOS工作電壓延伸更高至45V。同時(shí)該工藝能提供多段式電壓的選擇，可藉由調整設計而不額外增加光罩層數，具有低成本、高可移植性的優(yōu)勢，能夠滿(mǎn)足多樣化的產(chǎn)品設計需求。

　　與此同時(shí)，華潤上華0.25微米Scalable BCD工藝平臺可提供經(jīng)驗豐富的ESD 解決方案與ESD設計支持，設計支持部分可提供完整的PDK 與優(yōu)化的設計流程，以滿(mǎn)足客戶(hù)芯片設計的需求。