GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具

　　GLOBALFOUNDRIES今天宣布，在為新一代移動(dòng)和消費電子應用實(shí)現3D芯片堆疊的道路上，公司達到了一個(gè)重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開(kāi)始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺上的半導體晶圓中構建硅通孔(TSV)的特殊生產(chǎn)工具。此舉將使客戶(hù)能夠實(shí)現多個(gè)芯片的堆疊，從而為滿(mǎn)足未來(lái)電子設備的高端要求提供了一條新的渠道。

　　TSV，即在硅中刻蝕豎直孔徑，并以銅填充，從而在垂直堆疊的集成電路之間實(shí)現導通。例如，該技術(shù)允許電路設計人員將存儲器芯片堆疊于應用處理器之上，在實(shí)現存儲器帶寬大幅提高的同時(shí)降低功耗，從而解決了智能手機和平板電腦等新一代移動(dòng)設備設計中的這一重大難題。

　　在尖端工藝節點(diǎn)上采用集成電路3D堆疊技術(shù)如今已日益被視為傳統的在晶體管級上采用技術(shù)節點(diǎn)進(jìn)行等比例縮小的替代方案。然而，隨著(zhù)新的封裝技術(shù)的出現，芯片與封裝交互的復雜性顯著(zhù)提高，晶圓代工廠(chǎng)及其合作伙伴越來(lái)越難以提供“端到端”的解決方案來(lái)滿(mǎn)足眾多尖端設計的要求。

　　GLOBALFOUNDRIES首席技術(shù)官Gregg Bartlett表示：“為了幫助解決上述在新的硅工藝節點(diǎn)上的挑戰，我們很早就已開(kāi)始與合作伙伴共同開(kāi)發(fā)能夠支持半導體行業(yè)下一波創(chuàng )新的封裝解決方案。通過(guò)采用廣泛合作的方法，我們能夠給予客戶(hù)最大的選擇權和靈活性，同時(shí)致力于節省成本、加快量產(chǎn)時(shí)間，并降低新技術(shù)開(kāi)發(fā)的相關(guān)技術(shù)風(fēng)險。在Fab 8中安裝20nm技術(shù)的TSV工具將令GLOBALFOUNDRIES新增一個(gè)重要能力，從設計到組裝和測試，今后我們在與半導體生態(tài)系統中的眾多公司在研發(fā)與制造上的合作都將因此受益。”

　　GLOBALFOUNDRIES最新的Fab 8既是世界上技術(shù)最先進(jìn)的晶圓代工廠(chǎng)之一，也是美國規模最大的尖端半導體代工廠(chǎng)。該工廠(chǎng)專(zhuān)注于32/28nm及更小尺寸的尖端制造，20nm技術(shù)研發(fā)正在順利進(jìn)行中。采用TSV的首顆全流芯片預計將于2012年第三季度在Fab 8開(kāi)始生產(chǎn)。