羅姆推出高耐壓功率MOSFET

　　日本知名半導體制造商羅姆株式會(huì )社(總部：日本京都市)面向太陽(yáng)能發(fā)電的功率調節器市場(chǎng)，開(kāi)發(fā)出實(shí)現了業(yè)內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。

　　本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝，于2011年9月中旬開(kāi)始提供樣品(樣品價(jià)格：1000日元/個(gè))，并已于2011年12月份開(kāi)始投入量產(chǎn)。

　　隨著(zhù)節能趨勢漸行漸強，作為可再生能源的代表，太陽(yáng)能發(fā)電市場(chǎng)規模不斷擴大。其功率調節器領(lǐng)域，正在努力通過(guò)電源轉換效率的改善實(shí)現節電，因此對實(shí)現更低損耗的功率MOSFET的需求不斷高漲。羅姆此前也一直利用多層外延生長(cháng)方式，為客戶(hù)提供多層縱向pn結的超結結構的功率MOSFET，持續為高效化作出了貢獻。但是，由于這種方式的制造工序復雜，因此具有難于微細化和提高生產(chǎn)性能的課題。

　　此次，羅姆采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術(shù)，通過(guò)微細化及雜質(zhì)濃度的優(yōu)化，與傳統產(chǎn)品相比，將導通電阻成功降低了約47%。此產(chǎn)品不僅非常適合低導通電阻容易體現出來(lái)的轉換器部分，而且與羅姆制造的快速恢復二極管或SiC肖特基勢壘二極管等相組合，還可應用于逆變器。由于可以大幅降低電源轉換時(shí)的損耗，因此將會(huì )大大有助于提高太陽(yáng)能發(fā)電的效率。另外，為了適用于更多種類(lèi)的電路方式，羅姆在采用本技術(shù)進(jìn)一步完善高耐壓產(chǎn)品線(xiàn)的同時(shí)，還將不斷擴充“PrestoMOS™”系列。

　　羅姆今后也會(huì )繼續利用獨創(chuàng )的先進(jìn)工藝加工技術(shù)，不斷推進(jìn)滿(mǎn)足顧客需求的前瞻性晶體管產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

　　<高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”的主要特點(diǎn)>

　　1) 業(yè)內頂級的低導通電阻

　　2) 具有卓越散熱性能的TO247PLUS封裝

　　<利用了Si深蝕刻技術(shù)的超結結構>

　　采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術(shù)。

　　不僅可簡(jiǎn)化工序，而且適合微細化。

　　<導通電阻降低47%>　※以傳統產(chǎn)品為“1”為例

　　<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

　　?導通電阻

　　功率器件動(dòng)作時(shí)的電阻值。是影響功率MOSFET性能的最重要的參數，其值越小性能越高。

　　?超結MOSFET

　　利用耗盡層在三維空間中的的拓寬，實(shí)現了比傳統產(chǎn)品更低損耗的功率MOSFET。

　　?SiC(Standard Industrial Classification：碳化硅)

　　帶隙是硅的3倍左右、絕緣破壞電場(chǎng)是其10倍左右、導熱率是其3倍左右，是具備優(yōu)異物理性能的化合物半導體，這些特性適合功率器件應用和高溫動(dòng)作。羅姆在2010年4月實(shí)現肖特基勢壘二極管的量產(chǎn)，并于2010年12月實(shí)現了MOSFET的量產(chǎn)。

　　?“PrestoMOS™”系列

　　低導通電阻、低Qg并且實(shí)現了內部二極管的高速trr化的高耐壓MOSFET系列。

　　(Presto是指：源于意大利語(yǔ)的意為“極其快速”的音樂(lè )用語(yǔ)。)