后DRAM時(shí)代 核心技術(shù)/應用是生存關(guān)鍵

　　標準型DRAM產(chǎn)業(yè)經(jīng)營(yíng)環(huán)境陷入困境，就連龍頭大廠(chǎng)三星電子擁有市占率與技術(shù)的優(yōu)勢下，也直喊很辛苦。研究機構集邦科技認為，今年DRAM市場(chǎng)的發(fā)展將出現重大變革，除核心技術(shù)仍將攸關(guān)獲利表現之外，產(chǎn)品應用是否能搭上產(chǎn)業(yè)成長(cháng)趨勢，也是持續生存下去的關(guān)鍵。

　　綜觀(guān)過(guò)去整體DRAM市場(chǎng)的獲利關(guān)鍵，幾乎取決于產(chǎn)能的擴充與制程不斷的再精進(jìn)，從早期的90nm、65nm制程至今已來(lái)到30nm、甚至20nm制程，制程的微縮雖使成本持續下降，但同時(shí)伴隨著(zhù)是顆粒數的高成長(cháng)，加上近年P(guān)C出貨年成長(cháng)已大幅趨緩，記憶體搭載容量亦失成長(cháng)動(dòng)能，DRAM產(chǎn)業(yè)在需求力道不再強勁的影響之下，不但獲利難度越來(lái)越高，制程微縮的動(dòng)作甚至遠跟不上跌價(jià)的速度。

　　集邦科技認為，2012年DRAM市場(chǎng)的發(fā)展將會(huì )產(chǎn)生重大的變革。首先，DRAM產(chǎn)能的擴充將漸趨理性，加上轉進(jìn)20nm難度極高，且需要高額的資本支出購買(mǎi)EUV等先進(jìn)機臺，即使龍頭三星半導體亦不得不在制程精進(jìn)上放慢腳步。

　　另外，集邦科技預估，今年整體DRAM的年供給位元成長(cháng)率僅有22%，較數年前動(dòng)輒50%的年成長(cháng)已大幅趨緩，不幸的是，供給位元的減緩并不足以代表整體DRAM產(chǎn)業(yè)供過(guò)于求的頹勢能夠獲得紓解。

　　這也代表著(zhù)，各DRAM廠(chǎng)獲利的關(guān)鍵必須轉向核心技術(shù)開(kāi)發(fā)能力再作競爭，例如隨著(zhù)智慧型手機與平板電腦的興起，帶動(dòng)行動(dòng)式記憶體的需求，如已在2011年第四季成為行動(dòng)式記憶體出貨主流LPDDR2，或者是今年下半年即將量產(chǎn)的LPDDR3，甚至是Wide-IO與LPDDR4，能夠擁有核心技術(shù)的DRAM廠(chǎng)便是獲利贏(yíng)家。

　　同時(shí)，云端需求的興起亦使原本深耕于伺服器記憶體的DRAM廠(chǎng)獲益，DDR3的4Gb-Mono顆粒成為另一個(gè)獲利指標。另外，在標準型DRAM上面，今年亦有許多產(chǎn)品以DDR3為基礎上再進(jìn)化，如著(zhù)眼于Ultrabook的興起，為了精進(jìn)省電效能以延長(cháng)使用時(shí)效，廠(chǎng)商已開(kāi)發(fā)出低電壓版的DDR3L，在省電機制的強化上亦發(fā)展出DDR3M的產(chǎn)品，亦有廠(chǎng)商考慮將GDDR導入標準型記憶體中，在繪圖上與游戲上可以有比標準型記憶體更佳的表現。

　　DRAM廠(chǎng)在后續的獲利競賽仍有一番激烈競逐，落后者勢必逐漸將產(chǎn)能退出，在擁有核心技術(shù)力的DRAM廠(chǎng)才有機會(huì )在后續市場(chǎng)中持續獲利與生存。