IBM，美光科技建立與TSV的混合內存

        美光科技公司的混合存儲立方體（HMC）對于IBM公司員工來(lái)講，將成為第一個(gè)商業(yè)化的CMOS制造技術(shù)硅穿孔（TSV）工藝，該公司于星期四（12月1日）表示。

        據IBM（近日，紐約州）介紹，TSV技術(shù)將使美光科技公司的HMC設備，實(shí)現速度比目前的技術(shù)快15倍。公司表示，HMC的部分將在IBM在紐約East Fishkill市的先進(jìn)的半導體晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)，使用該公司的32納米高-K金屬柵極工藝技術(shù)。

        十月，美光科技公司和韓國三星電子聯(lián)合有限公司宣布形成一個(gè)圍繞HMC公開(kāi)的聯(lián)合，技術(shù)帶來(lái)的DRAM記憶體和邏輯工藝一起封裝到潛在的功率效率，帶寬，密度和可擴展性超過(guò)傳統的DRAM。公司表示，HMC技術(shù)采用先進(jìn)的TSV的垂直管道，電氣連接的單個(gè)堆棧芯片，結合美光的DRAM的高性能邏輯。

        IBM表示，它將在12月5日在華盛頓特區IEEE國際電子器件會(huì )議，展示其TSV制造突破的細節。