Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導通電阻和快速開(kāi)關(guān)的性能。

　　Vishay Siliconix的工廠(chǎng)位于加州Santa Clara，已被DSCC重新認證，可采用MIL-PRF-19500標準對所生產(chǎn)的MOSFET進(jìn)行篩選。在用于軍工和重要航空應用的系統中，MIL-PRF-19500標準樹(shù)立了對分立器件的性能、質(zhì)量和可靠性要求的準繩。

　　今天推出的器件適用于TTL/CMOS直接邏輯電平接口，繼電器、螺線(xiàn)管、燈、電錘、顯示器、存儲器和晶體管的驅動(dòng)，以及電池供電系統和以及固態(tài)繼電器。MOSFET的密封TO-205AD封裝可承受軍工和航天應用中更高的溫度。

　　60V 2N6660JANTX/JANTXV在10V下的典型導通電阻低至1.3Ω，柵源閾值電壓為1.7V，開(kāi)關(guān)速度為8ns。90V 2N6661JANTX/JANTXV在10V下的典型導通電阻為3.6Ω，柵源閾值電壓為1.6V，開(kāi)關(guān)速度為6ns。兩款器件均具有低輸入和輸出泄漏，以及低至35pF的典型輸入電容。

　　2N6660ANTXV和2N6661ANTXV按照MIL-PRF-19500的各項標準進(jìn)行了100%的內部視覺(jué)(在封蓋前)檢驗。除減少2個(gè)步驟(MIL-STD-750標準的視覺(jué)檢驗和加工)以降低成本以外，Vishay還對這些產(chǎn)品進(jìn)行了Group A、Group B、Group C和Group E檢測，以進(jìn)一步提高產(chǎn)品的可靠性。