Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù)，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉換應用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數。

　　與前一代S系列器件相比，新的E系列技術(shù)使導通電阻降低了30%。根據應用的不同，這些產(chǎn)品可以提供更高的功率密度，使轉換效率更上一層樓。由于這個(gè)新平臺具有更低的輸入電容，柵極驅動(dòng)損耗也減少了。

　　2011 年 10 月12 日發(fā)布的12 E系列器件包括4款22A的MOSFET和4款30A的MOSFET，在10V下的導通電阻分別為190mΩ和125mΩ。22A和30A MOSFET均提供TO-220、TO-220 FullPAK、TO-247和TO-263 (D2PAK)封裝。此外，在10V下導通電阻為64mΩ的47A器件采用TO-247封裝，導通電阻為150mΩ的24A、650V MOSFET提供TO-220、TO-263 (D2PAK)和TO-247封裝。

　　E系列的超低導通電阻意味著(zhù)極低的導通和開(kāi)關(guān)損耗，在功率因數校正、服務(wù)器和通信電源系統、焊接、等離子切割、電池充電器、高強度放電(HID)照明、熒光燈鎮流器照明、半導體固定設備，太陽(yáng)能逆變器和感應加熱等高功率、高性能的開(kāi)關(guān)模式應用中能夠節約能源。

　　器件經(jīng)過(guò)精心設計，可承受雪崩和整流模式中的高能脈沖，并且保證達到通過(guò)100% UIS測試所要求的各種極值。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。